Samsung 今天宣布他們已經開始量產全球首款512GB嵌入式通用快閃記憶體（eUFS），新的64層 V- NAND 快閃記憶體將用於即將推出的旗艦手機和平板電腦，考慮到下個月就是CES 2018，Samsung 有可能在下個月會展出搭載該款 V-NAND 快閃記憶體的相關設備。
Samsung 全新的 512GB UFS 快閃記憶體將8個64層512Gb V-NAND 晶片和一個UFS控制晶片通過堆疊形式封裝在一起，在體積上和以前的48層 V-NAND 256GB 晶片一樣，但儲存空間翻倍。為了最大限度發揮512GB eUFS的性能和效率，Samsung 還應用了一套全新的技術，其先進的電路設計和新的電源管理技術還能將功耗降低，512GB eUFS 控制器還加快了將邏輯塊地址轉換為物理地址的映射過程。
效能的部分，512GB eUFS 的順序讀寫速度分別達到了860MB/s和255MB/s，隨機讀取42000IOPS，寫入40000IOPS，這樣的表現確實比Galaxy S8上的 UFS 2.1 要好一些。最後 Samsung 還表示他們將擴大64層 512Gb V-NAND 晶片和 256Gb-VNAND 的產能，並將其用於 SSD 產品上。
至於什麼時候有傳輸速度達到2400MB/s的 UFS 3.0，最快也要明年初才能看到完整協議，應用到實際產品上起碼還要等一年，所以整個2018年估計都會是 UFS 2.1 的天下，像 Samsung 這種 UFS 快閃記憶體供應商也只能默默將容量做大。
來源：http://www.expreview.com/58069.html
Samsung 全新的 512GB UFS 快閃記憶體將8個64層512Gb V-NAND 晶片和一個UFS控制晶片通過堆疊形式封裝在一起，在體積上和以前的48層 V-NAND 256GB 晶片一樣，但儲存空間翻倍。為了最大限度發揮512GB eUFS的性能和效率，Samsung 還應用了一套全新的技術，其先進的電路設計和新的電源管理技術還能將功耗降低，512GB eUFS 控制器還加快了將邏輯塊地址轉換為物理地址的映射過程。
效能的部分，512GB eUFS 的順序讀寫速度分別達到了860MB/s和255MB/s，隨機讀取42000IOPS，寫入40000IOPS，這樣的表現確實比Galaxy S8上的 UFS 2.1 要好一些。最後 Samsung 還表示他們將擴大64層 512Gb V-NAND 晶片和 256Gb-VNAND 的產能，並將其用於 SSD 產品上。
至於什麼時候有傳輸速度達到2400MB/s的 UFS 3.0，最快也要明年初才能看到完整協議，應用到實際產品上起碼還要等一年，所以整個2018年估計都會是 UFS 2.1 的天下，像 Samsung 這種 UFS 快閃記憶體供應商也只能默默將容量做大。
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