繼今年六月推出速率達到了 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM 後，Micron 在近日公佈了基於 32Gb 單晶片的 128GB DDR5 RDIMM 記憶體，速度進一步提升至 8000MT/s，可以更能滿足資料中心和雲端環境中各種任務應用的效能需求，包括人工智慧 ( AI )、記憶體資料庫 ( IMBD ) 以及各種需要多核心多執行緒計數的生產力場景。
此款 128GB DDR5 RDIMM 記憶體採用 Micron 業界領先的 1β（1-beta）技術，與競爭對手的 3DS 矽通孔（TSV）產品相比，具備以下特點：
– 位元密度提高 45% 以上
– 能源效率提升高達 24%
– 延遲最多降低 16%
– AI 訓練性能提升高達 28%
同時，Micron 32Gb DDR5 記憶體解決方案採用全新的晶片架構，以實現業界領先的陣列效率和最密集的單晶片 DRAM。電壓域和刷新管理功能有助於優化電力傳輸網絡，提供市場急需的能源效率表現。此外，Micron 也優化了晶片尺寸的長寬比，進而提高 32Gb 大容量 DRAM 晶片的製造效率。Micron 的128GB RDIMM 計劃於2024年在開始推出 4800MT/s、5600MT/s 和 6400MT/s 的型號，而 8000MT/s 的型號則會稍晚公布。
來源
此款 128GB DDR5 RDIMM 記憶體採用 Micron 業界領先的 1β（1-beta）技術，與競爭對手的 3DS 矽通孔（TSV）產品相比，具備以下特點：
– 位元密度提高 45% 以上
– 能源效率提升高達 24%
– 延遲最多降低 16%
– AI 訓練性能提升高達 28%
同時，Micron 32Gb DDR5 記憶體解決方案採用全新的晶片架構，以實現業界領先的陣列效率和最密集的單晶片 DRAM。電壓域和刷新管理功能有助於優化電力傳輸網絡，提供市場急需的能源效率表現。此外，Micron 也優化了晶片尺寸的長寬比，進而提高 32Gb 大容量 DRAM 晶片的製造效率。Micron 的128GB RDIMM 計劃於2024年在開始推出 4800MT/s、5600MT/s 和 6400MT/s 的型號，而 8000MT/s 的型號則會稍晚公布。
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