Kioxia 宣布，推出基於第八代 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體技術的 BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四級單元），目前已開始送樣。其擁有業界最大的 2Tb 容量，將推動人工智慧（AI）在內的多個應用領域的成長。
Kioxia 表示，BiCS8 FLASH 2Tb QLC NAND 快閃記憶體基於其最新的技術，透過專有製程和創新架構，實現了記憶體晶片的縱向和橫向縮放平衡。鎧俠引入了與 WD 合作開發的 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優狀態下單獨製造的，然後粘合在一起，提供了增強的位元密度和 NAND I/O 介面速度（3.6Gbps）。
相較於第五代 BiCS FLASH QLC 快閃記憶體產品，這次第八代 BiCS FLASH 2Tb QLC 快閃記憶體的位元密度提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約 70%。不僅如此，全新的 QLC 產品架構可在單一記憶體封裝中堆疊16個晶片，可提供 4TB 容量，並採用更為緊湊的封裝設計，尺寸僅 11.5 x 13.5 mm，高度為 1.5 mm。
除了 2Tb QLC 快閃記憶體外，鎧俠還帶來了性能更強的 1Tb QLC 快閃記憶體。1Tb QLC 快閃記憶體的順序寫入效能在 2Tb QLC 快閃記憶體基礎上再提升了約 30%，讀取延遲降低了約 15%，更適用於高效能領域，包括客戶端 SSD 和行動裝置。
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Kioxia 表示，BiCS8 FLASH 2Tb QLC NAND 快閃記憶體基於其最新的技術，透過專有製程和創新架構，實現了記憶體晶片的縱向和橫向縮放平衡。鎧俠引入了與 WD 合作開發的 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優狀態下單獨製造的，然後粘合在一起，提供了增強的位元密度和 NAND I/O 介面速度（3.6Gbps）。
相較於第五代 BiCS FLASH QLC 快閃記憶體產品，這次第八代 BiCS FLASH 2Tb QLC 快閃記憶體的位元密度提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約 70%。不僅如此，全新的 QLC 產品架構可在單一記憶體封裝中堆疊16個晶片，可提供 4TB 容量，並採用更為緊湊的封裝設計，尺寸僅 11.5 x 13.5 mm，高度為 1.5 mm。
除了 2Tb QLC 快閃記憶體外，鎧俠還帶來了性能更強的 1Tb QLC 快閃記憶體。1Tb QLC 快閃記憶體的順序寫入效能在 2Tb QLC 快閃記憶體基礎上再提升了約 30%，讀取延遲降低了約 15%，更適用於高效能領域，包括客戶端 SSD 和行動裝置。
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