Intel 曾說過他們家的 10nm SuperFin 製程在效能和電晶體密度上的表現，等同於現在晶圓代工廠商的 7nm 製程，互不相讓，大概因為如此，Intel 想要為自家的製程節點以正視聽，數字上不能落後。
Intel 這次更改製程節點命名不以奈米進展為名稱，而是採用新的命名模式，如 10nm Enhanced SuperFin 已更名為 Intel 7，後面更新的製程則為 Intel 4、Intel 3、Intel 20A。
Intel 10nm Enhanced SuperFin 相比前一代的 Intel SuperFin 相比，每瓦效能提高10~15%，這個製程也將用於 Alder Lake 以及 Sapphire Rapids 架構處理器。
Intel 4 是 Intel 之前所稱的 7nm 製程節點，Intel 聲稱每瓦性能比 Intel 7 提高 20%。該節點將使用 EUV 光刻。首批採用 Intel 4 的產品是於 2021 年第二季的 Meteor Lake 和 Granite Rapids 架構。
2023 年下半年，Intel 將推出其 Intel 3 節點。該節點將提供18%的每瓦效能增益，並且具有更密集的 HP library 以及增加 EUV 的使用，增加固有驅動電流。
Intel 20A 節點將在 2024 年上半年開始提供，A代表埃 angstrom，1A=0.1奈米。該節點將引入一種新的晶體管架構，稱為 RibbonFET 和 PowerVia 互連，不過目前 Intel 未確認哪個產品將使用 Intel 20A 節點。
來源
Intel 這次更改製程節點命名不以奈米進展為名稱，而是採用新的命名模式，如 10nm Enhanced SuperFin 已更名為 Intel 7，後面更新的製程則為 Intel 4、Intel 3、Intel 20A。
Intel 10nm Enhanced SuperFin 相比前一代的 Intel SuperFin 相比，每瓦效能提高10~15%，這個製程也將用於 Alder Lake 以及 Sapphire Rapids 架構處理器。
Intel 4 是 Intel 之前所稱的 7nm 製程節點，Intel 聲稱每瓦性能比 Intel 7 提高 20%。該節點將使用 EUV 光刻。首批採用 Intel 4 的產品是於 2021 年第二季的 Meteor Lake 和 Granite Rapids 架構。
2023 年下半年，Intel 將推出其 Intel 3 節點。該節點將提供18%的每瓦效能增益，並且具有更密集的 HP library 以及增加 EUV 的使用，增加固有驅動電流。
Intel 20A 節點將在 2024 年上半年開始提供，A代表埃 angstrom，1A=0.1奈米。該節點將引入一種新的晶體管架構，稱為 RibbonFET 和 PowerVia 互連，不過目前 Intel 未確認哪個產品將使用 Intel 20A 節點。
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