Intel 基於 FinFET 的 MRAM 已準備就緒

最近 EETimes 發布的報告中指出，Intel 自己商用地 MRAM（磁阻隨機存取儲存器）已準備好在大批量生產中投入生產。




MRAM 是一種非易失性的儲存技術，這意味著它即使在斷電的情況下也會保留訊息，同時它還有不輸於 DRAM 的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低於 DRAM。由於不管是 DRAM 還是 NAND，製程微縮已遭遇瓶頸，相對 MRAM 未來製程微縮仍有許多發展空間，MRAM 因此備受期待，認為可以取代 DRAM 以及 NAND。

週二提交這篇論文的 Intel 工程師 Ligiong Wei 表示，Intel 嵌入式 MRAM 技術可在攝氏200度下實現長達10 年的記憶期，並可在超過100萬個開關週期內實現持久性。MRAM 省電的特性，意味著 Intel 嵌入式 MRAM 將很有可能先用於移動設備上。並且嵌入式 MRAM 被認為特別適用於物聯網 (IoT) 設備等應用，也趕搭上了 5G 世代的列車。

來源：
https://www.techpowerup.com/252820/intels-finfet-based-embedded-mram-is-ready-for-production
https://www.expreview.com/66858.html