在2021年7月的「Intel 加速創新：製程與封裝技術線上發表會」上，Intel CEO Pat Gelsinger 公佈了「四年五個製程節點」的製程路線圖，驅動 Intel 到2025年乃至更遠的新產品開發。其中第三個製程節點是 Intel 3，憑藉 FinFET 的進一步優化和在更多工序中增加對 EUV 使用，相比 Intel 4 在每瓦性能上能有約 18% 的提升，密度上也有 10% 的改進。
根據來源稱，Intel 已確認，Intel 3 製程已經在兩個工廠進入大批量生產階段，包括美國俄勒岡州和愛爾蘭的工廠，製造最近推出的 Xeon 6 系列 Sierra Forest 和 Granite Rapids 處理器，主要面向資料中心產品。
Intel 也提供了 Intel 3 製程的一些新細節，這是其最後一代採用 FinFET 電晶體技術的半導體製程，帶來了更強的性能和更高的電晶體密度，並支援 1.2V 的超高性能應用電壓。不但針對 Intel 自己的產品，也針對代工客戶，未來幾年會持續發展。
除了基礎版本外，Intel 還提供了 Intel-3T、Intel-3E 和 Intel-3PT 三個變體。其中 Intel 3T 透過 TSV 支援，可以用作基礎晶片；Intel 3-E 將為晶片組和儲存應用提供功能增強；Intel 3-PT 進一步提升了性能，並支援 9μm 間距 TSV 和混合鍵合，可以說是終極 FinFET 製程。 Intel 3 也進入了 210nm 的高密度（HD）庫，比起 240nm 高效能（HP）庫的 Intel 4 製程在電晶體性能上提供了更多選擇。
此外，Intel 客戶可以在三種金屬堆疊之間進行選擇：14層著重於成本；18層是性能和成本之間的最佳平衡；21層適用於高性能。
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根據來源稱，Intel 已確認，Intel 3 製程已經在兩個工廠進入大批量生產階段，包括美國俄勒岡州和愛爾蘭的工廠，製造最近推出的 Xeon 6 系列 Sierra Forest 和 Granite Rapids 處理器，主要面向資料中心產品。
Intel 也提供了 Intel 3 製程的一些新細節，這是其最後一代採用 FinFET 電晶體技術的半導體製程，帶來了更強的性能和更高的電晶體密度，並支援 1.2V 的超高性能應用電壓。不但針對 Intel 自己的產品，也針對代工客戶，未來幾年會持續發展。
除了基礎版本外，Intel 還提供了 Intel-3T、Intel-3E 和 Intel-3PT 三個變體。其中 Intel 3T 透過 TSV 支援，可以用作基礎晶片；Intel 3-E 將為晶片組和儲存應用提供功能增強；Intel 3-PT 進一步提升了性能，並支援 9μm 間距 TSV 和混合鍵合，可以說是終極 FinFET 製程。 Intel 3 也進入了 210nm 的高密度（HD）庫，比起 240nm 高效能（HP）庫的 Intel 4 製程在電晶體性能上提供了更多選擇。
此外，Intel 客戶可以在三種金屬堆疊之間進行選擇：14層著重於成本；18層是性能和成本之間的最佳平衡；21層適用於高性能。
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