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Intel 10nm 製程揭密:2.7倍金屬管密度, 首次使用貴金屬釕

Techinsights日前就以 Lenovo Ideapad 330 中的 Core i3-8121 處理器為例分析了 Intel 的10nm製程,詳細報告還沒有發布,目前只公布了部分數據與一些特點。



10nm-feature.jpg

Intel 10nm特點如下:


  • 邏輯晶體管密度達到了100.8MTr/mm2,每平方毫米1億個晶體管,晶體管密度是14nm工藝的2.7倍多

  • 使用的是第三代FinFET晶體管製程技術

  • 最小柵極距(gate pitch)從之前的70nm縮小到了54nm

  • 最小金屬間距(metal pitch)從之前的52nm縮小到了36nm


Intel 10nm製程亮點:


  • 與現有10nm及即將問世的7nm相比,Intel 10nm具有最好的間距縮小指標

  • 在後端製程BEOL中首次聯合使用金屬銅及釕,後者是一種貴金屬

  • 在contact及BEOL端使用了自對齊圖形化方案(self-aligned patterning scheme)


Intel 10nm設計亮點:


  • 通過6.2-Track高密度庫實現了超級縮放(Hyperscaling )

  • Cell等級的COAG(Contact on active gate)技術


先前 Intel CEO 也解釋過他們的10nm為什麼難產的問題,一大原因就是他們的10nm製程指標定的太高了,10nm 100MTr/ mm2 的晶體管密度實際上跟台積電、三星的7nm製程差不多,性能指標是很好的,但遇到了良率的問題,所以量產時間上要比其他兩家落後兩年多。

來源:
http://www.techinsights.com/technol…iew/latest-reports/intel-10-nm-logic-process/
http://www.expreview.com/62070.html

authenticamd

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I社在新製程開發,應該說是求好心切呢?還是力有未逮?
 

安德烈夫

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INTEL的以色列團隊熱衷當間諜
在全世界的CPU都植入後門
那些笨蛋還用啊
自己的電腦一直給人當跳板
 
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