Intel 今年推 NVDIMM 3D XPoint 記憶體

Intel 3D XPoint 目前在 SSD 已經有一些應用，而今年將會推出 NVDIMM 標準的 3D XPoint 記憶體，容量更大，而且斷電也不會遺失數據。




DRAM 記憶體、NAND 快閃記憶體的區別，簡單說就是 DRAM 速度極快，延遲是奈秒級的，但記憶體容量小（相對來說），斷電就損失數據，而 NAND 容量大、價格低，不過延遲是微秒級的，效能遠不如記憶體。JEDEC 標準化組織之前推出了 NVDIMM 記憶體標準，也就是一種斷電不遺失數據、使用記憶體封裝格式的產品，介於 DRAM 與 NAND 之間。


Intel Xeon 處理器/數據中心市場部經理Lisa Spellman日前在日本出席了一場公開活動，介紹了 Intel 在伺服器、數據中心市場上的新進展，PC Watach網站做了詳細報導，除了新一代 Xeon 處理器之外，Intel 透露了基於 3D XPoint 的 NVDIMM 記憶體進展。


根據英特爾所說，基於3D XPoint閃存的NVDIMM內存預計今年中開始發貨，將用於下一代代號Cascade Lake的Xeon Scale處理器平台上。

不過原文並沒有提及英特爾的NVDIMM內存的具體規格，首圖是NVDIMM實物的樣子，容量、性能依然未知。

採用 3D NAND 快閃記憶體的 SSD


採用 3D XPoint 的 SSD


NVDIMM開始替代記憶體


資料中心需要處裡的數據爆炸性成長


來源：
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1122322.html
http://www.expreview.com/61415.html