隨著半導體製程的升級難度越來越大，進度越來越緩慢，台積電的7nm製程開發成本已經超過了30億美元，接下來的5nm製程預計要超過50億美元，在平面上想提升晶體管密度這事情已經變得相當有挑戰性，3D堆疊製程可能是解決這問題的一個好方法，結構簡單的 NAND 已經大面積轉向3D堆疊製程了，HBM 記憶體也是利用3D堆疊製程生產的，但是3D堆疊製程也不是萬能的，散熱就是3D堆疊製程要面臨的一大難題，層數越多熱量堆積就越嚴重，AMD 近日申請的一項專利就有可能解決這一問題的。
AMD 這一專利的就是在3D堆疊的邏輯層和儲存層之間插入一片 TEC 熱點效應散熱模組，也就是半導體製冷器或溫差製冷器，它利用帕爾貼效應，由N 、P型材料組成一對熱電偶，當熱電偶通入直流電流後，因直流電通入的方向不同，將在電偶結點處產生吸熱和放熱現象。
而這個現像是可以根據電流的方向而反轉的，也就是說可以根據傳感器反饋的結果，都可以利用熱電偶把熱量從較高的那一端轉移到溫度較低的一端，讓熱量分佈更為平均，這一專利在任何 3D 堆疊生產的晶片上都相當實用，然而這一過程是會產生額外的發熱的，也會帶來額外的功耗，所以這一專利是否真的有用還得等實際產品出來再說。
來源：https://www.expreview.com/69182.html
AMD 這一專利的就是在3D堆疊的邏輯層和儲存層之間插入一片 TEC 熱點效應散熱模組，也就是半導體製冷器或溫差製冷器，它利用帕爾貼效應，由N 、P型材料組成一對熱電偶，當熱電偶通入直流電流後，因直流電通入的方向不同，將在電偶結點處產生吸熱和放熱現象。
而這個現像是可以根據電流的方向而反轉的，也就是說可以根據傳感器反饋的結果，都可以利用熱電偶把熱量從較高的那一端轉移到溫度較低的一端，讓熱量分佈更為平均，這一專利在任何 3D 堆疊生產的晶片上都相當實用，然而這一過程是會產生額外的發熱的，也會帶來額外的功耗，所以這一專利是否真的有用還得等實際產品出來再說。
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