Samsung 宣布，其採用業界最先進 12nm 製程技術的 16Gb DDR5 DRAM 已經開始批量生產。Samsung 表示，透過完成最先進的製造技術，再次證明了其在尖端 DRAM 技術方面的領先地位。
Samsung 電子 DRAM 產品與技術執行副總裁 Jooyoung Lee 表示：“利用差異化的製程技術，Samsung 行業領先的 12nm DDR5 DRAM 具有出色的性能和電源效率。最新的 DRAM 反映了我們對引領 DRAM 市場的持續承諾，不僅提供高性能和高容量的產品，滿足了計算市場對大規模資料處理的需求，而且還透過對下一代解決方案的商業化，支援更大的產量。”
與上一代產品相比，Samsung 新的 12nm DDR5 DRAM 的速率達到了 7.2 Gbps，功耗降低了 23%，同時將晶圓的生產效率提高了 20%，出色的電源效率使其成為那些希望減少伺服器和資料中心的能耗及碳足蹟的全球 IT 公司的理想解決方案，支援包括資料中心、人工智慧和下一代計算在內越來越多的應用。
Samsung 在 12nm 製程技術上使用了一種新的 high-κ 材料，有助於提高電池電容。高電容導致資料訊號出現明顯的電勢差，更便於準確區分。同時在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助於 Samsung 提供客戶需要的解決方案。
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Samsung 電子 DRAM 產品與技術執行副總裁 Jooyoung Lee 表示：“利用差異化的製程技術，Samsung 行業領先的 12nm DDR5 DRAM 具有出色的性能和電源效率。最新的 DRAM 反映了我們對引領 DRAM 市場的持續承諾，不僅提供高性能和高容量的產品，滿足了計算市場對大規模資料處理的需求，而且還透過對下一代解決方案的商業化，支援更大的產量。”
與上一代產品相比，Samsung 新的 12nm DDR5 DRAM 的速率達到了 7.2 Gbps，功耗降低了 23%，同時將晶圓的生產效率提高了 20%，出色的電源效率使其成為那些希望減少伺服器和資料中心的能耗及碳足蹟的全球 IT 公司的理想解決方案，支援包括資料中心、人工智慧和下一代計算在內越來越多的應用。
Samsung 在 12nm 製程技術上使用了一種新的 high-κ 材料，有助於提高電池電容。高電容導致資料訊號出現明顯的電勢差，更便於準確區分。同時在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助於 Samsung 提供客戶需要的解決方案。
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