SK Hynix 在今年 CES 2020 上曾經展出過64GB的 DDR5-4800，帶寬和容量都要比現在的 DDR4 高出不少，現在 SK Hynix 宣布計畫將提供時脈達到8400MHz的 DDR5 記憶體，時脈相當之高，單顆最大密度64Gb，並且會帶有片上 ECC 功能，工作電壓僅1.1V。
SK Hynix 現在公佈了關於 DDR5 記憶體的最新資料，根據他們提供的規格表顯示，DDR5 記憶體的工作時脈從3200MHz到8400MHz，這個範圍相當之廣，現在 DDR4 記憶體主要時脈是在1600MHz到3200MHz，部分廠商推出的超頻版記憶體能到5000MHz，不過時脈超過4000MHz的 DDR4 是相當至少的。
容量方面，現在 DDR4 單顆最大是16Gb，而 DDR5 則有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb這五種不同的密度，由於24Gb顆粒的存在，所以單條24GB或者48GB的記憶體也是能做出來的，使用64Gb顆粒的時候，單面8顆就能組成64GB的容量，雙面16顆可組建單條128GB的 DDR5 記憶體。
現在的 DDR4 記憶體要實現 ECC 糾錯需要增加額外的晶片，但 DDR5 上就不需要了，ECC 糾錯功能已經整合到了每顆 DRAM 裡面，這有望降低記憶體的總體成本，另外 DFE 反饋均衡電路也被整合到 DRAM 內部，它可消除高頻記憶體工作時的噪聲，這將大大提高每個引腳的速度。
DDR5 記憶體有32個儲存區，劃分成8個儲存區組，而 DDR4 記憶體則有16個儲存區和4個儲存區組，這使得 DDR5 記憶體的帶寬和IO效能翻了一倍。
DDR5 的 VDD 和 VPP 電壓從 DDR4 時代的 1.2V/2.5V 降低到了 1.1V/1.8V，這使得整體功耗下降了20%，再加上反饋均衡電路的降噪，可進一步降低高頻下的發熱量。
SK Hynix 表示今年內 DDR5 記憶體將會量產，初期以10nm級16Gb為主，單根容量最大32GB，不過後續肯定會有更高的容量出現。現在 DDR5 記憶體的研製工作已經基本完成了，已經開始著手預研 DDR6 記憶體，當然現在 DDR6 記憶體的標準還沒出來，不負此前有消息指出 SK Hynix 認為 DDR6的時脈還會進一步翻倍，預計可達12Gbps。
來源
SK Hynix 現在公佈了關於 DDR5 記憶體的最新資料，根據他們提供的規格表顯示，DDR5 記憶體的工作時脈從3200MHz到8400MHz，這個範圍相當之廣，現在 DDR4 記憶體主要時脈是在1600MHz到3200MHz，部分廠商推出的超頻版記憶體能到5000MHz，不過時脈超過4000MHz的 DDR4 是相當至少的。
容量方面，現在 DDR4 單顆最大是16Gb，而 DDR5 則有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb這五種不同的密度，由於24Gb顆粒的存在，所以單條24GB或者48GB的記憶體也是能做出來的，使用64Gb顆粒的時候，單面8顆就能組成64GB的容量，雙面16顆可組建單條128GB的 DDR5 記憶體。
現在的 DDR4 記憶體要實現 ECC 糾錯需要增加額外的晶片，但 DDR5 上就不需要了，ECC 糾錯功能已經整合到了每顆 DRAM 裡面，這有望降低記憶體的總體成本，另外 DFE 反饋均衡電路也被整合到 DRAM 內部，它可消除高頻記憶體工作時的噪聲，這將大大提高每個引腳的速度。
DDR5 記憶體有32個儲存區，劃分成8個儲存區組，而 DDR4 記憶體則有16個儲存區和4個儲存區組，這使得 DDR5 記憶體的帶寬和IO效能翻了一倍。
DDR5 的 VDD 和 VPP 電壓從 DDR4 時代的 1.2V/2.5V 降低到了 1.1V/1.8V，這使得整體功耗下降了20%，再加上反饋均衡電路的降噪，可進一步降低高頻下的發熱量。
SK Hynix 表示今年內 DDR5 記憶體將會量產，初期以10nm級16Gb為主，單根容量最大32GB，不過後續肯定會有更高的容量出現。現在 DDR5 記憶體的研製工作已經基本完成了，已經開始著手預研 DDR6 記憶體，當然現在 DDR6 記憶體的標準還沒出來，不負此前有消息指出 SK Hynix 認為 DDR6的時脈還會進一步翻倍，預計可達12Gbps。
來源
