在全球 DRAM 記憶體晶片市場上，SK Hynix 目前的市場份額達到了29%，僅次於三星的45%，位列全球第二，領先於美光。在 DRAM 技術上，今年三星及美光都宣布了新一代 1Ynm 製程的 DRAM 記憶體晶片，SK Hynix 日前也宣布開發出 1Ynm 的 8Gb DDR4 記憶體，頻率3200Mbps，同時生產效率提升20%，功耗降低了15 %。
8Gb DDR4-3200 記憶體顆粒本身並不新鮮，三星/SK Hynix/美光兩年前就有類似的產品了，不過這次的8Gb DDR4記憶體晶片是1Ynm製程，這是1Xnm製程之後第二代10nm級 DRAM 製程，三星、美光之前已經宣布過類似的產品，現在是 SK Hynix 試產新製程了。
在20nm節點之後，DRAM 記憶體製程的線寬指標不再那麼精確，所以有了 1Xnm、1Ynm 及 1Znm 之分，簡單來說 1Xnm 製程相當於16-19nm，1Ynm 製程相當於14-16nm，1Znm 製程大概是12-14nm，現在三星、美光及 SK Hynix 是進行到了第二代10nm級製程，不過三家量產的產品不同，三星、美光都是選擇 LPDDR4X 記憶體首發 1Ynm 製程，SK Hynix 選擇的是 1Ynm 製程的 DDR4-3200 記憶體。
除了製程升級，SK Hynix 還表示 1Ynm 製程 8Gb DDR4 晶片在生產效率上提升了20%，性能也是目前最快的。此外，通過Sense Amp.Control技術，1Ynm 製程的 DDR4 晶片能耗降低了15%，
根據 SK Hynix 的規劃，1Ynm 製程的 DDR4 記憶體預計會從明年Q1季度開始出貨，首先面向伺服器及 PC 產品，接下來還會有針對移動設備等產品的 1Ynm 製程記憶體晶片。
來源：http://www.expreview.com/65157.html
8Gb DDR4-3200 記憶體顆粒本身並不新鮮，三星/SK Hynix/美光兩年前就有類似的產品了，不過這次的8Gb DDR4記憶體晶片是1Ynm製程，這是1Xnm製程之後第二代10nm級 DRAM 製程，三星、美光之前已經宣布過類似的產品，現在是 SK Hynix 試產新製程了。
在20nm節點之後，DRAM 記憶體製程的線寬指標不再那麼精確，所以有了 1Xnm、1Ynm 及 1Znm 之分，簡單來說 1Xnm 製程相當於16-19nm，1Ynm 製程相當於14-16nm，1Znm 製程大概是12-14nm，現在三星、美光及 SK Hynix 是進行到了第二代10nm級製程，不過三家量產的產品不同，三星、美光都是選擇 LPDDR4X 記憶體首發 1Ynm 製程，SK Hynix 選擇的是 1Ynm 製程的 DDR4-3200 記憶體。
除了製程升級，SK Hynix 還表示 1Ynm 製程 8Gb DDR4 晶片在生產效率上提升了20%，性能也是目前最快的。此外，通過Sense Amp.Control技術，1Ynm 製程的 DDR4 晶片能耗降低了15%，
根據 SK Hynix 的規劃，1Ynm 製程的 DDR4 記憶體預計會從明年Q1季度開始出貨，首先面向伺服器及 PC 產品，接下來還會有針對移動設備等產品的 1Ynm 製程記憶體晶片。
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