最近在國際儲存研討會2018（IMW 2018）上，應用材料公司Sean Kang介紹了未來幾年 3D-NAND 的發展線路圖，到了2021年，3D-NAND 的堆疊層數會超過140層，而且每一層的厚度會不斷的變薄。
自 3D-NAND 誕生以來它的堆疊層數就在不斷的增長，Samsung 出的第一代 3D V-NAND 只有24層，下一代就變成了32層，隨後就變成48層，目前現在大多數廠商都是64層，而 SK Hynix 則是72層，而下一代的 3D-NAND 堆疊層數將超過90層，再下一個階段會超過120層，到了2021年會超過140層。
而快閃記憶體的 Die Size 也隨著堆疊層數而增長，在32層時代的時候是128Gbit，48層時256Gbit，64/72層是512Gbit，明年的96層閃存應該會達到768Gbit，128層應該會有1024Gbit的Die Size，達到144層時就不清楚會有多大了，肯定會大於等於1024Gbit。
在堆疊層數增加的時候，儲存堆棧的高度增大，然而每層的厚度相對縮小，以前的32/36層 3D NAND 的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現在的64/72層堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，升級一次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍，而層厚度會變成0.86倍。
現在各家廠商都在 3D NAND 上加大力度研發，盡可能提升自己快閃記憶體的儲存密度，此前 Toshiba 與 WD 就宣布計劃在今年內大規模生產96層堆疊的 BiCS4 晶片，並會在年底前發貨。
來源：
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1121549.html
http://www.expreview.com/61301.html
自 3D-NAND 誕生以來它的堆疊層數就在不斷的增長，Samsung 出的第一代 3D V-NAND 只有24層，下一代就變成了32層，隨後就變成48層，目前現在大多數廠商都是64層，而 SK Hynix 則是72層，而下一代的 3D-NAND 堆疊層數將超過90層，再下一個階段會超過120層，到了2021年會超過140層。
而快閃記憶體的 Die Size 也隨著堆疊層數而增長，在32層時代的時候是128Gbit，48層時256Gbit，64/72層是512Gbit，明年的96層閃存應該會達到768Gbit，128層應該會有1024Gbit的Die Size，達到144層時就不清楚會有多大了，肯定會大於等於1024Gbit。
在堆疊層數增加的時候，儲存堆棧的高度增大，然而每層的厚度相對縮小，以前的32/36層 3D NAND 的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現在的64/72層堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，升級一次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍，而層厚度會變成0.86倍。
現在各家廠商都在 3D NAND 上加大力度研發，盡可能提升自己快閃記憶體的儲存密度，此前 Toshiba 與 WD 就宣布計劃在今年內大規模生產96層堆疊的 BiCS4 晶片，並會在年底前發貨。
來源：
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1121549.html
http://www.expreview.com/61301.html
