現在的 SSD 雖然可以通過堆疊Die層數來增大單顆粒容量，但隨著層數越多，所需要的矽穿孔數目越多，製造難度直線上升，不僅良品率無法保證、生產成本也高，一些擁有深厚技術的儲存廠商早就開始探索新一代非易失性儲存器。除了 Intel 那個未知原理的 3D XPoint 以外，還有 ReRAM，這是一種以電阻值來記錄數據的非易失性儲存器，具有單位面積容量大、讀寫速度快特性，而對此研究了好些年的Mobiveil聯合Crossbar將會推出基於 ReRAM 技術的 SSD，為儲存市場增添新活力。
ReRAM 其實就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關係的全新元件，也是一種具有記憶功能的非線性電阻，不僅可以記憶流經自身的電荷數量，也可以通過控制激勵源的電流或者磁通來改變自身的阻值大小，並且這種阻值變化可以在斷電下繼續保存相當長的一段時間。
單一憶阻器其實就是一個長條形的器件，擁有三層結構，包含有上下電極和中間的開關層，通過電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結構的電阻值，從而達到儲存數據功能（電阻值代表0/1或者是更多位數據）。其穩定性非常好，具備了普通快閃記憶體顆粒不具備的超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬次讀寫週期後，在85℃下數據可以保持10年不消失。
而且這種長條形結構可以很容易地組建成大規模陣列，簡單的結構使得儲存容量、密度遠超現有的快閃記憶體技術，輕鬆實現TB儲存顆粒。
另外由於其結構簡單，它的主控開發也變得異常簡單，現有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3 /4主控就可以適應 ReRAM 架構。
不過Mobiveil、Crossbar表示 ReRAM SSD 並不是要革現有 SSD 的命，因為它至少短期內不是民用消費級，而是面向商業應用方案，因為目前來看 ReRAM SSD 雖然性能指標一流，但製作成本非常高，甚至比 NV-DIMMM 更為昂貴，就像是 Intel 的 Optane 都是在虧本在賣。
所以Mobiveil與Crossbar將 ReRAM 的銷售方向、潛在客戶都與 Intel 3D XPoint 的 Optane 硬碟相同，並在積極開發能夠平衡價格與性能的產品，帶動公司的繼續發展。
來源：http://www.expreview.com/57239.html
ReRAM 其實就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關係的全新元件，也是一種具有記憶功能的非線性電阻，不僅可以記憶流經自身的電荷數量，也可以通過控制激勵源的電流或者磁通來改變自身的阻值大小，並且這種阻值變化可以在斷電下繼續保存相當長的一段時間。
單一憶阻器其實就是一個長條形的器件，擁有三層結構，包含有上下電極和中間的開關層，通過電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結構的電阻值，從而達到儲存數據功能（電阻值代表0/1或者是更多位數據）。其穩定性非常好，具備了普通快閃記憶體顆粒不具備的超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬次讀寫週期後，在85℃下數據可以保持10年不消失。
而且這種長條形結構可以很容易地組建成大規模陣列，簡單的結構使得儲存容量、密度遠超現有的快閃記憶體技術，輕鬆實現TB儲存顆粒。
另外由於其結構簡單，它的主控開發也變得異常簡單，現有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3 /4主控就可以適應 ReRAM 架構。
不過Mobiveil、Crossbar表示 ReRAM SSD 並不是要革現有 SSD 的命，因為它至少短期內不是民用消費級，而是面向商業應用方案，因為目前來看 ReRAM SSD 雖然性能指標一流，但製作成本非常高，甚至比 NV-DIMMM 更為昂貴，就像是 Intel 的 Optane 都是在虧本在賣。
所以Mobiveil與Crossbar將 ReRAM 的銷售方向、潛在客戶都與 Intel 3D XPoint 的 Optane 硬碟相同，並在積極開發能夠平衡價格與性能的產品，帶動公司的繼續發展。
來源：http://www.expreview.com/57239.html
