儲存設備 Western Digital 推出 OptiNAND 技術 重塑現今硬碟架構

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Western Digital 於 8 月 31 日 HDD Reimagine 大會中推出全新可打破傳統儲存界限的快閃記憶體架構硬碟。奠基於 Western Digital 獨特的硬碟和快閃記憶體創新能力,此款採用 OptiNAND™ 技術的全新儲存架構透過整合 iNAND® 嵌入式記憶體與硬碟結合為一,進一步優化硬碟功能。此突破性技術可為超大規模雲端、雲端服務供應商、企業、智慧影像監控合作夥伴、NAS 供應商等客戶,提供一個可滿足指數性增長的資料儲存需求、效能和可靠性的解決方案。

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首款置入 OptiNAND 技術的硬碟,也將同時搭載引領業界的三軸式驅動臂(Triple Stage Actuator)和 HelioSeal® 氦氣密封填充技術,進而達到每碟片 2.2TB 的超大容量,也更進一步擴充目前 ePMR 技術的容量和里程碑。Western Digital 也已向部分客戶提供這款搭載 OptiNAND 快閃記憶體架構的 9 碟片 20TB ePMR 硬碟樣品。

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IDC 硬碟和儲存技術研究總監 Ed Burns 表示:「Western Digital 在硬碟架構創新上有著悠久的歷史記錄,例如現合併為 Western Digital 的 HGST 就曾於 2013 年首創並量產出貨氦氣密封硬碟。隨著人工智慧、機器學習、區塊鏈、物聯網與感測器等成長的驅動下,我們毫無疑問地需要儲存上的創新,以便能儲存和保護當今大規模的資料成長。作為全球唯一能同時製造快閃記憶體和硬碟的公司,Western Digital 可運用自家優勢及堅強實力持續在未來擴展 ePMR 硬碟的碟片密度,幫助客戶滿足不斷增長的數位經濟需求。」

新華三集團副總裁暨運算儲存產品線總裁 Billy Chen 表示:「這個新架構是 Western Digital 優勢和能力的自然延伸,為市場帶來新的儲存演變。身為早期客戶,OptiNAND 技術的出現是令人振奮的,因其能幫助我們滿足未來幾年的儲存需求。」


全新 OptiNAND 技術快閃記憶體架構硬碟

有別於使用快閃記憶體儲存使用者資料的混合式硬碟,此架構在儲存方式上以不同的運行模式達成重大突破,且能多面向的優化儲存性能。透過在世界級硬碟中垂直整合的 iNAND®,加上其定制化設計的韌體演算法和 SoC 創新,Western Digital 採用 OptiNAND 技術的快閃記憶體架構硬碟可提供更高的容量、效能和可靠性,滿足客戶不斷增長的儲存需求。歡迎點擊此連結閱讀更多,主要重點為:
  • 容量:硬碟運行效率提升,搭配定制化設計的韌體演算法可進一步利用載入到 iNAND® 的元數據(Metadata),以增加磁軌數目(Tracks Per Inch,TPI)、進而提高碟片密度。
  • 效能:透過專利優化技術在韌體運行上,減少相鄰磁軌干擾(Adjacent Track Interference)的刷新範圍和寫入快取模式下清除快取的次數,改進硬碟延遲率(Drive Latency)。
  • 可靠性:Western Digital 垂直整合在快閃記憶體架構硬碟的供應、設計、開發、測試和驗證,提供客戶可信賴的硬碟。在緊急斷電(Emergency Power Off)情況下,相比傳統硬碟,更可保留近 50 倍更多的用戶資料。

Western Digital 全球技術與戰略總裁 Siva Sivaram 表示:「憑藉 Western Digital 在硬碟和快閃記憶體上的知識產權(IP)和世界級的開發團隊,我們能夠不斷地突破創新界限,改善客戶的儲存基礎設施。從 2013 年透過 HelioSeal® 改變一切,至 2019 年率先量產能量輔助記錄硬碟(Energy-assisted HDDs)。在這一段非凡的硬碟創新之旅,我們再次以 OptiNAND 技術引領產業。此全新架構也將引領 Western Digital 未來多個世代的硬碟技術藍圖,我們預估未來十年的後半期採用 OptiNAND 的 ePMR 硬碟容量將達到 50TB。」



上市時間


採用 OptiNAND 技術的全新快閃記憶體架構硬碟將在 Western Digital 硬碟和儲存平台的產品組合上使用。此技術將作為未來硬碟設計和創新的基礎,且將在智慧性、可靠性、容量和上市時間上更有競爭力。Western Digital 預計於下半年發布針對特定市場的專用產品組合。



更多連結:

Reimagining HDDs with OptiNAND™ Technology
How Western Digital Created OptiNAND™, a New Flash-Enhanced Drive Architecture
The Magnetic Attraction of ePMR

 
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