全球四大NAND製造廠中，Samsung早在2年前就率先量產了3D快閃記憶體，他們的V- NAND已經出了2代了，
隨後的是Intel、Micron系，雙方的3D NAND快閃記憶體今年也要量產了，SK Hynix的3D快閃記憶體也是在今年量產。
現在Toshiba、Sandisk系的3D NAND也跟進了，晶圓廠的生產設備已經安裝，今年下半年開始試產，相關產品2016年出貨。
雖然都是3D堆棧快閃記憶體，不過幾家廠商所用的技術並不完全相同，
Toshiba、Sandisk聯合研發的3D快閃記憶體叫做BiCS 3D NAND（Bit Cost Scaling），
堆棧層數達到了48層，核心容量為128Gb ，而Samsung第一代V-NAND堆棧層數才24層，目前的第二代是32層堆棧，
Intel、Micron的3D NAND也是32層堆棧，不過他們的核心容量是256Gb，TLC類型則可以做到384Gb核心。
除了堆棧層數最多之外，Toshiba、Sandisk的BiCS 3D快閃記憶體號稱在所有3D快閃記憶體芯片中核心面積最小，
這一點一直都是Toshiba、Sandisk快閃記憶體的優點，15nm的平面NAND中也是核心面積最小的。
Toshiba、Sandisk去年就宣布了新一代NAND晶圓廠的建設，日本四日市的Fab 5一期、二期工廠主要生產15nm製程，都已經投產，
新建的Fab 2工廠則面向3D快閃記憶體，經過一年的建設現在已經開始安裝3D快閃記憶體生產設備，
預計今年下半年開始初步生產並出樣，2016年初3D快閃記憶體正式出貨。
來源：http://www.expreview.com/42180.html
隨後的是Intel、Micron系，雙方的3D NAND快閃記憶體今年也要量產了，SK Hynix的3D快閃記憶體也是在今年量產。
現在Toshiba、Sandisk系的3D NAND也跟進了，晶圓廠的生產設備已經安裝，今年下半年開始試產，相關產品2016年出貨。
雖然都是3D堆棧快閃記憶體，不過幾家廠商所用的技術並不完全相同，
Toshiba、Sandisk聯合研發的3D快閃記憶體叫做BiCS 3D NAND（Bit Cost Scaling），
堆棧層數達到了48層，核心容量為128Gb ，而Samsung第一代V-NAND堆棧層數才24層，目前的第二代是32層堆棧，
Intel、Micron的3D NAND也是32層堆棧，不過他們的核心容量是256Gb，TLC類型則可以做到384Gb核心。
除了堆棧層數最多之外，Toshiba、Sandisk的BiCS 3D快閃記憶體號稱在所有3D快閃記憶體芯片中核心面積最小，
這一點一直都是Toshiba、Sandisk快閃記憶體的優點，15nm的平面NAND中也是核心面積最小的。
Toshiba、Sandisk去年就宣布了新一代NAND晶圓廠的建設，日本四日市的Fab 5一期、二期工廠主要生產15nm製程，都已經投產，
新建的Fab 2工廠則面向3D快閃記憶體，經過一年的建設現在已經開始安裝3D快閃記憶體生產設備，
預計今年下半年開始初步生產並出樣，2016年初3D快閃記憶體正式出貨。
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