記憶體 SK Hynix 將量產72層堆棧的3D NAND

[soothepain]

SK Hynix 前幾天才宣布投資2.2萬億韓元升級清州市工廠。
除此之外，SK Hynix 還將推出新一代 3D NAND，堆棧層數將從目前的36、48層提升到72層，
一舉超過三星、美光及東芝新一代64層堆棧 3D NAND，預計在明年下半年正式量產。

三星發展 3D NAND 快閃記憶體最早，目前已經推出了三代 V-NAND，
最高堆棧層數是48層，下一代3D快閃記憶體是64層堆棧，今年底開始量產。
東芝 / WD 則是 BiCS 類型的3D快閃記憶體，堆棧層數是48層，下一代也是64層堆棧，
美光 / Intel 的3D快閃記憶體進度最晚，堆棧層數是32層，下一代則會提升到64層堆棧，
美光在新加坡的10X晶圓廠年底將會量產64層堆棧快閃記憶體。

SK hynix 的 3D NAND 快閃記憶體發展32層堆棧算是實驗性，
今年11月份則是正式量產48層堆棧的3D快閃記憶體。
不過根據韓聯社的消息，SK Hynix 的下一代3D快閃記憶體也在路上了，
2017年上半年完成晶片設計，2017年下半年正式量產。

從層數上來看，SK Hynix 如果明年真的能順利量產72層3D快閃記憶體，
那麼他們的堆棧能力就超過了其他三家，後者明年的3D快閃記憶體還是64層堆棧的，
不過三星此前已經提到了96層堆棧的3D快閃記憶體，早已在研發中，只是尚未有確定的量產時間表。







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