Samsung 的 B-die 記憶體可以說是目前記憶體超頻中的極品，且多數市售高頻率都是使用 B-die，然而 Samsung 在今年春季就宣布將逐步停產 B-die 記憶體，它將會被製程更先進儲存密度更大的 A-die 和 M-die 取代。
現在的 Samsung B-die 記憶體是由20nm級別的製程生產的，說不上很先進，被線程更短的製程所取代是在所難免的，新的 A-die 和 M-die 會使用 Samsung 1z nm 級別的製程，儲存密度更大，B-die 的單 die 容量只有8Gb，而 A-die 則可以做到16Gb或32Gb，也就是2GB或4GB的容量，也就是說單面32GB的記憶體是可能的。
目前使用 A-die 的記憶體已經進入市場，型號 M378A4G43AB2-CVF 的記憶體模組用的就是 A-die，是32GB的雙面記憶體，不過由於是官方的記憶體所以頻率時序相當保守，這款記憶體頻率是2933MHz，時序是CL21-21-21，工作電壓1.2V，光看頻率的話其實還是不錯的，然而時序就不怎麼好看，不過這是相當早期的產品，是否可以取代 B-die 的高時脈還有待觀察。
來源：https://www.expreview.com/70347.html
現在的 Samsung B-die 記憶體是由20nm級別的製程生產的，說不上很先進，被線程更短的製程所取代是在所難免的，新的 A-die 和 M-die 會使用 Samsung 1z nm 級別的製程，儲存密度更大，B-die 的單 die 容量只有8Gb，而 A-die 則可以做到16Gb或32Gb，也就是2GB或4GB的容量，也就是說單面32GB的記憶體是可能的。
目前使用 A-die 的記憶體已經進入市場，型號 M378A4G43AB2-CVF 的記憶體模組用的就是 A-die，是32GB的雙面記憶體，不過由於是官方的記憶體所以頻率時序相當保守，這款記憶體頻率是2933MHz，時序是CL21-21-21，工作電壓1.2V，光看頻率的話其實還是不錯的，然而時序就不怎麼好看，不過這是相當早期的產品，是否可以取代 B-die 的高時脈還有待觀察。
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