繼前篇Samsung 9100 PRO 2TB，本篇續測試4TB容量版。
官網的文宣規格資料，所有重要傳輸速率最高的就是4TB版。循序讀寫速率
最快達到14800/13400 MB/s，4KQD32隨機讀寫的IOPS最高分別達2200K及2600K
IOPS，應該是2025年第一季相關主控產的最高規格。然而，相對於2TB容量
而言，不論是平均耗電、待機耗電或是休眠耗電量，4TB容量是目前9100 PRO
系列耗電量最大的版本，不知未來8TB版問市時的相關耗電量是否還會增加。
在代理商開賣首日，一次下單兩種容量，分別是2TB及4TB。本次是9100 PRO
系列開賣新品最終回開箱。
以下利用手機簡單拍照，若有傷眼處，敬請見諒。
外紙盒仍是Samsung慣用的黑色系，斗大的9100 PRO置於顯目位置，右下角標
示容量的版本，買到的還是星睿奇代理。
外紙盒背面也是Samsung習慣的陳列格式，沒太多意外。背後黏著代理商的聯
絡方式，若有需要可自行聯繫。
外紙盒底部的封條印著基本資訊，產地是南韓製，生產日期是今年二月中左右。
這次9100 PRO與過往PRO系列包裝最大的差異在於內盒。以往PRO系列都以白色
質感的塑膠盒搭配透明上蓋當作包材，這次9100 PRO改採用全紙盒內包裝盒設
計，從底盒到上蓋都是紙系包裝，有助於降低塑膠浪費。
紙盒的底部擺放著產品的使用說明書。
打開上紙蓋就可以看到SSD固定於凹槽內。
取出紙盒內的SSD瞧仔細，正面布局為兩顆NAND、單顆快取計憶體及主控。上方
貼紙有點黏性，為了怕破壞保固，暫時先不移開。
為了更了解整個SSD的布局，以下引用國外THESSDREVIEW的貼圖。若有不適，將
可能會隨時移除相關圖片。
延序Samsung慣用設計風格，主控位置多靠近於金手指，之後是快取記憶體，最
後才是NAND Flash的擺設。SSD主控型號Presto (S4LY027）採用三星5奈米製程，
係5核Arm Cortex-R8 架構，具有8個快閃記憶體通道，支援 PCIe 5.0 x4 和 NVMe
2.0。快取記憶體是自家產品，單顆4 GB容量，規格是LPDDR4x。NAND Flash也是
三星V-NAND V8 236層3D TLC NAND，單顆的容量為2TB，板上搭載兩顆組成4TB。
SSD採單面設計，背後黏上很薄的散熱銅箔。建議不要移除這張銅箔紙，
因為拆下來後幾乎是不可回復性。
開箱結束，上機去。
測試環境簡述:
M/B: ASUS ROG MAXIMUS Z890 HERO BIOS 1603
CPU: Intel Core Ultra 7 265K
RAM: G.Skill DDR5-8000 Trident Z5 Royal 24GBx2
OS SSD: Samsung 990 PRO 4TB
測試SSD: Samsung 9100 PRO 4TB
SSD散熱器：GRAUGEAR G-M2HP04-F
Case: Corsair Airflow 7000D
OS: Windows 11 Enterprise 24H2 64-bit
Driver: Windows Default NVMe Driver
透過Crystal Diskinfo觀察，支援NVMe Express 2.0協定，傳輸模式為PCIe5.0x4，
剛上機溫度為攝氏30度。
密閉機殼環境，搭配GRAUGEAR散熱器，連續高負載環境透過Crystal Diskinfo觀察
得到的溫度是攝氏60度。
HWiNFO64顯示這款SSD有兩組溫測感應點，Drive 2顯示連續高負載測試的NAND
Flash最高溫度為攝氏73度；Drive 3顯示連續高負載測試下主控的最高溫僅約
攝氏60度，比6奈米製程的SM2508再低溫，成為新一代PCIe 5.0x4主控低溫王。
AIDA64 Read Test Suite，設定檔案容量為1MB及8MB測試。
隨機讀取速率約9678~10940MB/s。
AIDA64 線性讀寫測試，設定檔案容量為8MB。
看到讀取曲線有點感動，Samsung系列的讀取速率在Z890被限速的問題終於解決。
線性讀取曲線非常平穩，平均讀取速率10778MB/s；線性寫入曲線在容量值約48%
前都很平穩地以約10000MB/s的速率寫入之後因SLC Cache耗盡一次降到約1400MB/s
附近，到末段因快取恢復一度回升，末端再降速，平均寫入速率6555MB/s。
AIDA64 隨機讀寫測試，設定檔案容量為8MB。
隨機讀取曲線呈規律性抖動，整體還算穩定，平均讀取速率9925MB/s；隨機寫入
曲線初速略慢，之後幾乎多規律抖動，平均寫入速率9852MB/s。
AJA 設定影片格式為3840*2160 4K RED HD解析度，編碼為16bit RGB，從256MB~64GB
全測一輪，抓取幾項結果。
讀取速率10777~11225MB/s、寫入速率10292~10840MB/s。
Anvil's Storage Utilities分別設為Compress 0Fill或Compress 100%
(Incompressible模式)，勾選Write-Thru選項，從1GB~32GB測一輪，抓取幾項結果。
Compress 0Fill 模式：連續讀取速率多超過10000MB/s、寫入速率少能達到100000MB/s。
Compress 100% 模式：連續讀取速率多超過10000MB/s、寫入速率少能達到10000MB/s。
AS SSD分別設定檔案大小為1GB及10GB，並測試Copy 及Compress Benchmark。
1GB容量，循序讀寫速率10896及10895 MB/s，4K-64Thrd讀取786K iops、寫入1517K iops。
10GB容量，循序讀寫速率11088及10825 MB/s，4K-64Thrd讀取1020K iops、寫入1419K iops。
Copy Benchmark 測試項目
1GB容量，ISO讀取速率3903MB/s、程式載入速率1597MB/s。
10GB容量，ISO讀取速率4549MB/s、程式載入速率1574MB/s。
Compress Benchmark 測試項目
1GB的讀寫曲線。
10GB的讀寫曲線。
ATTO Diskbenchmark選定檔案長度為64K、64MB、256MB、512MB、1GB、2GB、4GB及
32GB，設定為Overlapped I/O、0Fill及Random模式進行測試。
Overlapped I/O、佇列深度4 (QD4)模式：讀取速率最快13.34GB/s、寫入速率最快12.34GB/s。
0-Fill型態、佇列深度1 (QD1)模式：讀取速率最快4.39GB/s、寫入速率最快10.86GB/s。
Random型態、佇列深度1 (QD1)模式：讀取速率最快4.08GB/s、寫入速率最快10.78GB/s。
Crystal Diskmark v8.0.6，選取NVMe SSD，分別測試Random及0Fill資料型態，
選取64MiB、512MiB、1GiB、2Gib、4GiB、8GiB、16GiB及64GiB不同容量。
Default (Random)型態：Seq Q8T1的循序讀取速率14164~14280MB/s、寫入速率
129998~13157MB/s；4K Q1T1讀取約101~105MB/s、寫入速率介於344~349MB/s。
0Fill型態：Seq Q8T1的循序讀取速率14090~14273MB/s、寫入速率13024~13139MB/s；
4K Q1T1讀取速率101~106MB/s、寫入速率343~350MB/s。
比較讓人失望的是，不論是Random或0Fill型態，上述的4K Q1T1的讀取速率幾乎與
990 PRO一樣，沒什麼長進，相較於其它競品在4K Q1T1速率的改進，似乎Samsung
在這部分不知是忘了提升速率?還是又在Z890上出現了限速問題。以下是990 Pro
在Z890平台的對照圖，就可見其端倪。
設定1GiB容量，選取隨機資料型態，測試混合模式(Default Mix)的讀寫效能，
兩種不同佇列的循序混合讀/寫速率雙雙突破12000MB/s。
設定1GiB容量，選取隨機資料型態，測試真實世界(Real World)模式的讀寫效能。
eZIOmeter設為乾淨的全碟環境測試
循序讀取速率平均約13661MB/s、循序寫入速率平均約8417MB/s，循序寫入速率有
點慢，但若放在X870E平台，循序寫入平均速率為12836MB/s；4K QD32隨機讀取最
快可達1473K IOPS、隨機寫入最快為1192K IOPS，隨機讀寫速率皆未達官方標示值。
HDTune v5.75設定檔案容量為8MB，各測試選項結果值如下圖。
循序讀寫測試項目
讀取曲線初期的波動幅度較大，之後趨於平穩，平均讀取速率10779MB/s；
寫入曲線出現Gen5 SSD常見的破圖看不出曲線，平均寫入速率5764MB/s。
隨機讀寫測試項目
額外讀寫測試項目
File Benchmark選項以Block Size 512MB檔案長度為基準，設定50MB、500MB、
2000MB及4000MB，測試Zero與Mixed資料型態。
Zero資料型態
Mixed資料型態
將檔案設為250GB，寫入速率到250GB都沒什麼降速，顯然它的SLC Cache設定
應該超過250GB，搭配AIDA64的數值推估，SLC Cache設定值應該超過512GB。
HD-Tach RW 讀寫效能測試，分別針對8mb(Quick Zone)及32mb(Long Zone)測試。
8mb(Quick Zone)：平均讀取速率3698MB/s、平均寫入速率1542MB/s。
32mb(Long Zone)：平均讀取速率3736MB/s、平均寫入速率1974MB/s。
PCMark 10測試，分別系統碟及資料碟模式。
系統碟得到分數為5254、頻寬為816MB/s。
資料碟得到分數為7835、頻寬1113MB/s。
3DMark Storage Benchmark：得到5252分，比2TB容量再高分些。
3DMark DirectStorage Benchmark：因為顯卡是PCIe 4.0的RX6700 XT，與其它網
測多採nVIDIA顯卡，DirectStorage的加速效果相對有限，不過也比2TB容量快了
不少。
TxBench設定檔案長度64MB及32GB，分別測試隨機及0Fill資料型態。
0Fill資料模式
隨機模式
將一個約80GB大小的模擬壓縮檔案，從990 PRO 寫入9100 PRO，9100 PRO實際寫入速率約3.0~3.2GB/s。
將一個約80GB大小的模擬隨機檔案，從990 PRO 寫入9100 PRO，9100 PRO實際寫入速率約3.1~3.45GB/s。
安裝三星魔術師軟體(Magician) v8.3，魔術師軟體(Magician)下的軟體(Magician)
下的效能測試，顯示似乎也未達到官方標示值，特別是連續寫入及隨機讀寫速率。
最後是健康度的測試，之前9100 PRO 2TB寫入超過40TB時健康度才降1%，已可算是
NVMe消費級SSD的相對天花板，沒想9100 PRO 4TB當寫入超過83TB時，CystalDiskInfo
顯示健康度會降1%，這個值更超乎預期，已創下幾乎所有消費級NVMe 4TB SSD的新
猷，並貼近企業級的耐寫度若以此推算健康度降至0%時的TBW寫入量應高於原廠保
固值，不知未來8TB容量版推出時的耐寫度又會是如何讓人期待。
再次強調，目前個人幾乎不太玩GAME，不會有任何掛載遊戲或PS5的測試。
測試至此，作個簡單的測試結論：
優點
1. 驚人的耐寫度，SSD的實際耐寫度或許遠高於官方標示值，也可能是目前消費級SSD的前幾名耐寫者。
2. 連續讀取的速率表現平穩，算是競品中表現較佳者，抵消了連續讀取/寫入速率可能未突破官宣值。
3. 於Z890平台，不會出現循序或連續隨機讀取速率遭到限速的慘況。
4. 受惠於主控的低溫，連續高負載測試過程中的最高溫度相對低很多，不致發生過熱降速。
5. 單面NAND Flash布局，增加了使用彈性。
6. 豐富的魔術師(Magician)軟體功能，也提供Secured Erase。
缺點
1. 4KQD1的讀取或寫入速率明顯低於其它家主控的運作值及僅達990 PRO的Gen4x4速率，未有長進。
2. 官宣規格表示4TB版速率應高於2TB，實測感覺沒有那麼明顯，部分環境甚至還略弱於2TB版。
3. 售價仍相對偏高。
以上不專業之簡單測試到此結束，下台一鞠躬，一切的批評希望廠商能見諒，
本文不作筆戰用，若有指教歡迎大家一起來討論。
官網的文宣規格資料，所有重要傳輸速率最高的就是4TB版。循序讀寫速率
最快達到14800/13400 MB/s，4KQD32隨機讀寫的IOPS最高分別達2200K及2600K
IOPS，應該是2025年第一季相關主控產的最高規格。然而，相對於2TB容量
而言，不論是平均耗電、待機耗電或是休眠耗電量，4TB容量是目前9100 PRO
系列耗電量最大的版本，不知未來8TB版問市時的相關耗電量是否還會增加。
在代理商開賣首日，一次下單兩種容量，分別是2TB及4TB。本次是9100 PRO
系列開賣新品最終回開箱。
以下利用手機簡單拍照，若有傷眼處，敬請見諒。
外紙盒仍是Samsung慣用的黑色系，斗大的9100 PRO置於顯目位置，右下角標
示容量的版本，買到的還是星睿奇代理。
外紙盒背面也是Samsung習慣的陳列格式，沒太多意外。背後黏著代理商的聯
絡方式，若有需要可自行聯繫。
外紙盒底部的封條印著基本資訊，產地是南韓製，生產日期是今年二月中左右。
這次9100 PRO與過往PRO系列包裝最大的差異在於內盒。以往PRO系列都以白色
質感的塑膠盒搭配透明上蓋當作包材，這次9100 PRO改採用全紙盒內包裝盒設
計，從底盒到上蓋都是紙系包裝，有助於降低塑膠浪費。
紙盒的底部擺放著產品的使用說明書。
打開上紙蓋就可以看到SSD固定於凹槽內。
取出紙盒內的SSD瞧仔細，正面布局為兩顆NAND、單顆快取計憶體及主控。上方
貼紙有點黏性，為了怕破壞保固，暫時先不移開。
為了更了解整個SSD的布局，以下引用國外THESSDREVIEW的貼圖。若有不適，將
可能會隨時移除相關圖片。
延序Samsung慣用設計風格，主控位置多靠近於金手指，之後是快取記憶體，最
後才是NAND Flash的擺設。SSD主控型號Presto (S4LY027）採用三星5奈米製程，
係5核Arm Cortex-R8 架構，具有8個快閃記憶體通道，支援 PCIe 5.0 x4 和 NVMe
2.0。快取記憶體是自家產品，單顆4 GB容量，規格是LPDDR4x。NAND Flash也是
三星V-NAND V8 236層3D TLC NAND，單顆的容量為2TB，板上搭載兩顆組成4TB。
SSD採單面設計，背後黏上很薄的散熱銅箔。建議不要移除這張銅箔紙，
因為拆下來後幾乎是不可回復性。
開箱結束，上機去。
測試環境簡述:
M/B: ASUS ROG MAXIMUS Z890 HERO BIOS 1603
CPU: Intel Core Ultra 7 265K
RAM: G.Skill DDR5-8000 Trident Z5 Royal 24GBx2
OS SSD: Samsung 990 PRO 4TB
測試SSD: Samsung 9100 PRO 4TB
SSD散熱器：GRAUGEAR G-M2HP04-F
Case: Corsair Airflow 7000D
OS: Windows 11 Enterprise 24H2 64-bit
Driver: Windows Default NVMe Driver
透過Crystal Diskinfo觀察，支援NVMe Express 2.0協定，傳輸模式為PCIe5.0x4，
剛上機溫度為攝氏30度。
密閉機殼環境，搭配GRAUGEAR散熱器，連續高負載環境透過Crystal Diskinfo觀察
得到的溫度是攝氏60度。
HWiNFO64顯示這款SSD有兩組溫測感應點，Drive 2顯示連續高負載測試的NAND
Flash最高溫度為攝氏73度；Drive 3顯示連續高負載測試下主控的最高溫僅約
攝氏60度，比6奈米製程的SM2508再低溫，成為新一代PCIe 5.0x4主控低溫王。
AIDA64 Read Test Suite，設定檔案容量為1MB及8MB測試。
隨機讀取速率約9678~10940MB/s。
AIDA64 線性讀寫測試，設定檔案容量為8MB。
看到讀取曲線有點感動，Samsung系列的讀取速率在Z890被限速的問題終於解決。
線性讀取曲線非常平穩，平均讀取速率10778MB/s；線性寫入曲線在容量值約48%
前都很平穩地以約10000MB/s的速率寫入之後因SLC Cache耗盡一次降到約1400MB/s
附近，到末段因快取恢復一度回升，末端再降速，平均寫入速率6555MB/s。
AIDA64 隨機讀寫測試，設定檔案容量為8MB。
隨機讀取曲線呈規律性抖動，整體還算穩定，平均讀取速率9925MB/s；隨機寫入
曲線初速略慢，之後幾乎多規律抖動，平均寫入速率9852MB/s。
AJA 設定影片格式為3840*2160 4K RED HD解析度，編碼為16bit RGB，從256MB~64GB
全測一輪，抓取幾項結果。
讀取速率10777~11225MB/s、寫入速率10292~10840MB/s。
Anvil's Storage Utilities分別設為Compress 0Fill或Compress 100%
(Incompressible模式)，勾選Write-Thru選項，從1GB~32GB測一輪，抓取幾項結果。
Compress 0Fill 模式：連續讀取速率多超過10000MB/s、寫入速率少能達到100000MB/s。
Compress 100% 模式：連續讀取速率多超過10000MB/s、寫入速率少能達到10000MB/s。
AS SSD分別設定檔案大小為1GB及10GB，並測試Copy 及Compress Benchmark。
1GB容量，循序讀寫速率10896及10895 MB/s，4K-64Thrd讀取786K iops、寫入1517K iops。
10GB容量，循序讀寫速率11088及10825 MB/s，4K-64Thrd讀取1020K iops、寫入1419K iops。
Copy Benchmark 測試項目
1GB容量，ISO讀取速率3903MB/s、程式載入速率1597MB/s。
10GB容量，ISO讀取速率4549MB/s、程式載入速率1574MB/s。
Compress Benchmark 測試項目
1GB的讀寫曲線。
10GB的讀寫曲線。
ATTO Diskbenchmark選定檔案長度為64K、64MB、256MB、512MB、1GB、2GB、4GB及
32GB，設定為Overlapped I/O、0Fill及Random模式進行測試。
Overlapped I/O、佇列深度4 (QD4)模式：讀取速率最快13.34GB/s、寫入速率最快12.34GB/s。
0-Fill型態、佇列深度1 (QD1)模式：讀取速率最快4.39GB/s、寫入速率最快10.86GB/s。
Random型態、佇列深度1 (QD1)模式：讀取速率最快4.08GB/s、寫入速率最快10.78GB/s。
Crystal Diskmark v8.0.6，選取NVMe SSD，分別測試Random及0Fill資料型態，
選取64MiB、512MiB、1GiB、2Gib、4GiB、8GiB、16GiB及64GiB不同容量。
Default (Random)型態：Seq Q8T1的循序讀取速率14164~14280MB/s、寫入速率
129998~13157MB/s；4K Q1T1讀取約101~105MB/s、寫入速率介於344~349MB/s。
0Fill型態：Seq Q8T1的循序讀取速率14090~14273MB/s、寫入速率13024~13139MB/s；
4K Q1T1讀取速率101~106MB/s、寫入速率343~350MB/s。
比較讓人失望的是，不論是Random或0Fill型態，上述的4K Q1T1的讀取速率幾乎與
990 PRO一樣，沒什麼長進，相較於其它競品在4K Q1T1速率的改進，似乎Samsung
在這部分不知是忘了提升速率?還是又在Z890上出現了限速問題。以下是990 Pro
在Z890平台的對照圖，就可見其端倪。
設定1GiB容量，選取隨機資料型態，測試混合模式(Default Mix)的讀寫效能，
兩種不同佇列的循序混合讀/寫速率雙雙突破12000MB/s。
設定1GiB容量，選取隨機資料型態，測試真實世界(Real World)模式的讀寫效能。
eZIOmeter設為乾淨的全碟環境測試
循序讀取速率平均約13661MB/s、循序寫入速率平均約8417MB/s，循序寫入速率有
點慢，但若放在X870E平台，循序寫入平均速率為12836MB/s；4K QD32隨機讀取最
快可達1473K IOPS、隨機寫入最快為1192K IOPS，隨機讀寫速率皆未達官方標示值。
HDTune v5.75設定檔案容量為8MB，各測試選項結果值如下圖。
循序讀寫測試項目
讀取曲線初期的波動幅度較大，之後趨於平穩，平均讀取速率10779MB/s；
寫入曲線出現Gen5 SSD常見的破圖看不出曲線，平均寫入速率5764MB/s。
隨機讀寫測試項目
額外讀寫測試項目
File Benchmark選項以Block Size 512MB檔案長度為基準，設定50MB、500MB、
2000MB及4000MB，測試Zero與Mixed資料型態。
Zero資料型態
Mixed資料型態
將檔案設為250GB，寫入速率到250GB都沒什麼降速，顯然它的SLC Cache設定
應該超過250GB，搭配AIDA64的數值推估，SLC Cache設定值應該超過512GB。
HD-Tach RW 讀寫效能測試，分別針對8mb(Quick Zone)及32mb(Long Zone)測試。
8mb(Quick Zone)：平均讀取速率3698MB/s、平均寫入速率1542MB/s。
32mb(Long Zone)：平均讀取速率3736MB/s、平均寫入速率1974MB/s。
PCMark 10測試，分別系統碟及資料碟模式。
系統碟得到分數為5254、頻寬為816MB/s。
資料碟得到分數為7835、頻寬1113MB/s。
3DMark Storage Benchmark：得到5252分，比2TB容量再高分些。
3DMark DirectStorage Benchmark：因為顯卡是PCIe 4.0的RX6700 XT，與其它網
測多採nVIDIA顯卡，DirectStorage的加速效果相對有限，不過也比2TB容量快了
不少。
TxBench設定檔案長度64MB及32GB，分別測試隨機及0Fill資料型態。
0Fill資料模式
隨機模式
將一個約80GB大小的模擬壓縮檔案，從990 PRO 寫入9100 PRO，9100 PRO實際寫入速率約3.0~3.2GB/s。
將一個約80GB大小的模擬隨機檔案，從990 PRO 寫入9100 PRO，9100 PRO實際寫入速率約3.1~3.45GB/s。
安裝三星魔術師軟體(Magician) v8.3，魔術師軟體(Magician)下的軟體(Magician)
下的效能測試，顯示似乎也未達到官方標示值，特別是連續寫入及隨機讀寫速率。
最後是健康度的測試，之前9100 PRO 2TB寫入超過40TB時健康度才降1%，已可算是
NVMe消費級SSD的相對天花板，沒想9100 PRO 4TB當寫入超過83TB時，CystalDiskInfo
顯示健康度會降1%，這個值更超乎預期，已創下幾乎所有消費級NVMe 4TB SSD的新
猷，並貼近企業級的耐寫度若以此推算健康度降至0%時的TBW寫入量應高於原廠保
固值，不知未來8TB容量版推出時的耐寫度又會是如何讓人期待。
再次強調，目前個人幾乎不太玩GAME，不會有任何掛載遊戲或PS5的測試。
測試至此，作個簡單的測試結論：
優點
1. 驚人的耐寫度，SSD的實際耐寫度或許遠高於官方標示值，也可能是目前消費級SSD的前幾名耐寫者。
2. 連續讀取的速率表現平穩，算是競品中表現較佳者，抵消了連續讀取/寫入速率可能未突破官宣值。
3. 於Z890平台，不會出現循序或連續隨機讀取速率遭到限速的慘況。
4. 受惠於主控的低溫，連續高負載測試過程中的最高溫度相對低很多，不致發生過熱降速。
5. 單面NAND Flash布局，增加了使用彈性。
6. 豐富的魔術師(Magician)軟體功能，也提供Secured Erase。
缺點
1. 4KQD1的讀取或寫入速率明顯低於其它家主控的運作值及僅達990 PRO的Gen4x4速率，未有長進。
2. 官宣規格表示4TB版速率應高於2TB，實測感覺沒有那麼明顯，部分環境甚至還略弱於2TB版。
3. 售價仍相對偏高。
以上不專業之簡單測試到此結束，下台一鞠躬，一切的批評希望廠商能見諒，
本文不作筆戰用，若有指教歡迎大家一起來討論。
最後編輯：
