Qualcomm 高通最近宣布了下一代 Snapdragon Snapdragon 處理器——Snapdragon 835，
它就是之前曝光的 Snapdragon 830 處理器，這也將是三星首款10nm製程處理器，
高通官方宣稱 Snapdragon 835 處理器性能比前代提升27%，節能40%，而核心面積效率提高30%。
Snapdragon 目前的旗艦主力是 Snapdragon 820/821，使用的是三星14nm LPP，
而 Snapdragon 835 最大的變化就是升級到10nm，此前三星在10月中旬宣布正式量產10nm，
不過有一點不同的是，高通這次首發10nm很可能使用的是三星10nm LPE低功耗，
儘管高通官方並沒有證實具體製程，但30%面積效率、27%性能提升、40%節能的指標
與三星之前宣稱的10nm LPE優勢完全相符。
高通也沒有公佈 Snapdragon 835 處理器的具體規格，
現在無法證實 Snapdragon 835 的CPU是否如之前傳聞所說的那樣從4核變成8核，
但從性能提升27%的比例來看大概還是4核Kryo架構，
如果是從4核升級到8核，處理器性能提升不會只有27%。
與此同時，高通還正式宣布了QuickCharge 4.0（簡稱QC 4.0）快充技術，
QC 4.0充電功率提升到了28W，充電速度快了20%，充電效率提升了30%，
0 -50%充電只要15分鐘，充電5分鐘續航5小時，而且充電溫度還降低了5°C。
值得注意的一點是，QC 4.0還相容 USB Type-C 級以及USB PD充電規範，還支援雙充電IC，
這就有點意思了，因為目前的快充方案除了高通、聯發科的之外，
華為、OPPO兩家還有自己的快充協議，使用的是低壓大電流路線，
高通的QC 4.0現在有相容各種快充方案的可能了，只是具體如何做，還得看手機廠商如何選擇了——
選擇通用方案對消費者最有利，但廠商為了保證自己的獨特性和競爭力，很可能還會繼續使用自家的方案。
最後， Snapdragon 835 的發布也是紙面的，真機上市還早，大概明年1月份的CES展會上會有展示，
大規模發布可能要等到2月份的MWC展會，不出意外的話還是會由三星 Galaxy S8 手機首發。
來源：http://www.expreview.com/50767.html
它就是之前曝光的 Snapdragon 830 處理器，這也將是三星首款10nm製程處理器，
高通官方宣稱 Snapdragon 835 處理器性能比前代提升27%，節能40%，而核心面積效率提高30%。
Snapdragon 目前的旗艦主力是 Snapdragon 820/821，使用的是三星14nm LPP，
而 Snapdragon 835 最大的變化就是升級到10nm，此前三星在10月中旬宣布正式量產10nm，
不過有一點不同的是，高通這次首發10nm很可能使用的是三星10nm LPE低功耗，
儘管高通官方並沒有證實具體製程，但30%面積效率、27%性能提升、40%節能的指標
與三星之前宣稱的10nm LPE優勢完全相符。
高通也沒有公佈 Snapdragon 835 處理器的具體規格，
現在無法證實 Snapdragon 835 的CPU是否如之前傳聞所說的那樣從4核變成8核，
但從性能提升27%的比例來看大概還是4核Kryo架構，
如果是從4核升級到8核，處理器性能提升不會只有27%。
與此同時，高通還正式宣布了QuickCharge 4.0（簡稱QC 4.0）快充技術，
QC 4.0充電功率提升到了28W，充電速度快了20%，充電效率提升了30%，
0 -50%充電只要15分鐘，充電5分鐘續航5小時，而且充電溫度還降低了5°C。
值得注意的一點是，QC 4.0還相容 USB Type-C 級以及USB PD充電規範，還支援雙充電IC，
這就有點意思了，因為目前的快充方案除了高通、聯發科的之外，
華為、OPPO兩家還有自己的快充協議，使用的是低壓大電流路線，
高通的QC 4.0現在有相容各種快充方案的可能了，只是具體如何做，還得看手機廠商如何選擇了——
選擇通用方案對消費者最有利，但廠商為了保證自己的獨特性和競爭力，很可能還會繼續使用自家的方案。
最後， Snapdragon 835 的發布也是紙面的，真機上市還早，大概明年1月份的CES展會上會有展示，
大規模發布可能要等到2月份的MWC展會，不出意外的話還是會由三星 Galaxy S8 手機首發。
來源：http://www.expreview.com/50767.html
