儲存設備 慧榮發表NVMe SSD控制晶片SM2262EN與圖形晶片SM768

soothepain

full loading
已加入
9/17/03
訊息
21,273
互動分數
1,933
點數
113
網站
www.coolaler.com
慧榮科技(NasdaqGS: SIMO)於Computex Taipei推出一系列最新款PCIe SSD控制晶片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3規範,並以現場實測展現証實其極致效能,為PCIe SSD定義新標準。慧榮科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制晶片解決方案,來滿足全方位巿場需求,包括專為超高速Client SSD設計的SM2262EN、為主流SSD市場開發的SM2263EN,以及適用於BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制晶片。全系列均採用慧榮獨有的韌體技術,包括端到端資料路徑保護、SRAM ECC、結合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend™ ECC技術,支援全線最新3D TLC和QLC NAND,提供最完整及最穩定的資料保護,滿足儲存設備所需的高效穩定的需求。

SM2262EN適用於超高速PCIe SSD的解决方案
SM2262EN超高效能SSD控制晶片解決方案,支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3規範和8個NAND通道設計。以最新獨有的韌體技術,有效提升讀寫效能,最大循序讀取速度高達3.5GB/s,循序寫入速度達3.0GB/s,隨機讀寫則高達420K IOPS和420K IOPS。更採用目前最先進的低功耗設計,無論是在待機還是在工作狀態下,均展現超低功耗,有效減少30%的功耗,滿足專業用戶追求超高效能低功耗的嚴苛要求。

SM2262EN_2.jpg


SM2263EN/SM2263XT適用於主流PCIe SSD解決方案
SM2263EN和SM2263XT支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3規範和4個NAND通道設計,並提供完整韌體設計,滿足主流市場的需求。 SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制晶片,支援主機記憶體緩衝區(HMB)架構,有效運用系統緩存區,可提升讀寫速度,並可封裝成適用於Tablet PC 11.5mm x 13mm 的小尺寸BGA SSD;SM2263XT最大循序讀取速度達2.4GB/s,最大循序寫入速度達1.7GB/s,符合消費性Client SSD的經濟效益需求,為主流巿場新標配。

SM2262EN_1.jpg


慧榮科技產品經理鄭元順指出:「因應大數據時代的來臨,對於儲存設備的效能要求提升,PCIe SSD成為巿場主流。慧榮最新一代PCIe SSD控制晶片搭配獨有的韌體技術,可發揮閃存最大效能,全面提升讀寫速度,並支援所有主要快閃記憶體大廠的3D NAND外,還包含了最新的3D QLC及Micron第三代3D TLC。慧榮完整的控制晶片解決方案,可滿足不用巿場應用,更加速了PCIe SSD的普及率。」

此次慧榮另一展示重點為最新款的圖形顯示晶片:

支援 4K超高畫質的顯示晶片:SM768圖形顯示晶片
慧榮最新的SM768圖形顯示晶片能支援4K的超高解析度(UHD),同時擁有USB及PCIe接口,並支援多屏幕應用,提供性能極佳的圖形及影像顯示解決方案。SM768圖形顯示晶片內建慧榮科技獨家研發的內容自我調整技術 (Content Adaptive Technology;CAT),可降低CPU (中央處理器)20%~65%的使用率,不但解決嵌入式系統的長期以來因繪圖晶片資料過大,導致因CPU負載過高拖慢整體系統效能的問題,同時也讓顯示效能大幅提升。 SM768晶片本身的體積僅有19mm X 19mm,整體設備的體積設計可以更小、更易於攜帶,同時低耗電特色帶來低熱度系統,設計者可省去散熱鰭片的成本與空間。

SM768.JPG


慧榮科技顯示晶片產品行銷協理李祥賢指出:「高解析度、順暢的影像播放,如今已成為消費者對嵌入式系統的基本要求,然而隨著影像技術的精進,CPU所需處理的數據日漸龐大,高度的運算負荷,造成影像延遲、高耗電之狀況,SM768結合CAT與ARM Cortex-R5,以軟硬整合的方式,有效降低主機的CPU負載,其高速、低耗電、小體積特色,打造出新世代的圖形顯示晶片。」

此外,慧榮科技還展示為高階行動儲存市場提供的SD 6.1控制晶片、UFS 2.1控制晶片、USB轉UFS橋接晶片、USB 3.1控制晶片及專為車載及工控市場提供的單晶片SSD、eMMC及UFS解決方案。
 
▌延伸閱讀