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今天為大家帶來一組DDR5記憶體超頻實測 凌航 Neo Forza TRINITY DDR5-5600 32G(16G*2)
隨著9月將上市的AMD 7000系列處理器 在該平台單一支援DDR5記憶體下 來幫大家解析目前DDR5市場 主要的三種DDR5顆粒 美光.三星.海力士顆粒
以目前顆粒特性 效能來講 最強的當然屬海力士顆粒 Hynix MDIE 這是市售DDR5記憶體裡高頻率高效能唯一選項 隨著DDR5普及價位當然跟當初上市那動不動就
上1萬5~2萬多台幣的情況下來講 目前DDR5記憶體價位已經可以說是非常便宜 甚至比一些高端DDR4三星雙面BDIE還便宜.這對消費著來講真是利多~
以目前看AMD官方釋出的資訊該7000系列處理器適合的DDR5頻率為5200-6000MHZ 超頻範圍到6400 照這樣的使用頻率來講該好符合今天要為大家介紹的
這組凌航 N Foeorza TRINITY DDR5-5600 16G*2套組 我們就看圖說故事吧~
測試平台:12900KF / ROG Z690 APEX /DDR5 Neo Forza TRINITY DDR5-5600 16G*2/ 480開放式水冷/ WIN11專業版/AIDI64-V6.75/MEMTESTPRO 7.0/GB3
外觀包裝:
無RGB版本~適合喜歡無光害配置的使用
顆粒為Hynix MDIE 208A 該組5600XMP 版本用的顆粒毫不遜色 使用跟市售6400-6600XMP高階記憶體所使用的顆粒一模一樣 非常超值!
Neo Forza TRINITY DDR5-5600 16G*2 5600XMP CL-40-40-40-77 1.2V 系統CPU-Z SPD資訊
記憶體廠商資訊
接下來為該組DDR5-5600記憶體在各頻率下 壓低時序 燒機穩定性測試 測試條件:大小核頻率AUTO RING:AUTO 僅調整時序 記憶體電壓全程固定在1.435V
使用測試軟體為:MemtestPRO 7.0版本ADMIN模式
DDR5-5600MHZ 時序為CL 28-38-38-76-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 對比他家5600-6000CL28產品 該組價位約他家1/3左右
DDR5-6000MHZ 時序為CL 30-40-40-77-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 這個頻率CL30非常適合即將上市的AMD/INTEL處理器
DDR5-6200MHZ 時序為CL 30-40-40-77-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 時序電壓不變 頻率拉到6200MHZ 穩定過測
DDR5-6400MHZ 時序為CL 32-40-40-77-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 CL放至32 電壓不變 頻率拉到6400 穩定過測
DDR5-6600MHZ 時序為CL 32-39-39-76-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 與目前市售6600XMP高階記憶體一模一樣參數穩定過測
DDR5-6800MHZ 時序為CL 32-42-42-84-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過200%測試 這次測試以不加壓為原則 固定在1.435V
以上頻率 跟 時序 在2DIMM/大部分4DIMM板上都能做出 當然CPU的IMC 體質跟板子BIOS優化都會影響到實際能開出頻率-僅供參考
接來來就是各頻率跟參數可以說是縮得非常緊的狀況下在AIDI64頻寬延遲的表現: 記憶體電壓都固定為1.435V
DDR5-5600MHZ CL28-38-38-28 讀: 93262 MB/S 寫: 88550 MB/S 複製: 88612 MB/S 延遲: 55.4 ns
DDR5-6000MHZ CL28-39-39-28 讀: 99983 MB/S 寫: 94904 MB/S 複製: 94544 MB/S 延遲: 53.1 ns
DDR5-6200MHZ CL28-39-39-28 讀: 100.75 GB/S 寫: 98091 MB/S 複製: 97688 MB/S 延遲: 51.3 ns
DDR5-6400MHZ CL28-39-39-28 讀: 102.90 GB/S 寫: 101196 MB/S 複製: 100693 MB/S 延遲: 50.8 ns
DDR5-6600MHZ CL28-39-39-28 讀: 106.94 GB/S 寫: 101.93 GB/S 複製: 101.38 GB/S 延遲: 49.8 ns
DDR5-6800MHZ CL30-42-42-30 讀: 109.30 GB/S 寫: 104.33 GB/S 複製: 103.30 GB/S 延遲: 49.4 ns
DDR5-7000MHZ CL32-42-42-32 讀: 112.31 GB/S 寫: 107.53 GB/S 複製: 106.19 GB/S 延遲: 49.2 ns
以上是這組記憶體在DDR5頻率5600-7000MHZ 緊參數下在AIDI64測試下表現 可以看出每200MHZ增加在讀寫複製輸出大約都是以2萬~4萬MB/S下增加
在6200頻率之後 讀寫複製都來到10萬以上MB/S 單就性能而言 該組記憶體在固定電壓下 超頻幅度從5600MHZ-7000MHZ 對一般大眾玩家使用者來來已經非常夠用~極有可能在記憶體體質上限未到之前 4DIMM主機板上限已經先到!
接下來是GB3跑分測試:
DDR5-5600MHZ CL28-38-38-28 記憶體測試得分為: 11899分
DDR5-6000MHZ CL28-39-39-28 記憶體測試得分為: 12530分
DDR5-6200MHZ CL30-39-39-28 記憶體測試得分為: 12929分
DDR5-6400MHZ CL30-39-39-28 記憶體測試得分為: 13241分
這組記憶體在GB3測試下能到6400頻率 頻率要再上得再加壓 ~此次測試以固定電壓情況下 以符合大部分主機板正常使用環境~也考慮到消費者端日常使用環境
隨著兩大CPU廠即將上市的新世代CPU 都能使用DDR5記憶體下 這組凌航 Neo Forza TRINITY DDR5-5600 32G(16G*2)套組 以經濟實惠的價格 效能出眾的品
質. 讓消費者在組裝新電腦同時不用再為了必須強迫使用DDR5記憶體又局限於DDR5高單價下而煩惱~ 這次的測試就到這裡啦~有機會再幫大家測試測試高CP值
DDR5記憶體~
隨著9月將上市的AMD 7000系列處理器 在該平台單一支援DDR5記憶體下 來幫大家解析目前DDR5市場 主要的三種DDR5顆粒 美光.三星.海力士顆粒
以目前顆粒特性 效能來講 最強的當然屬海力士顆粒 Hynix MDIE 這是市售DDR5記憶體裡高頻率高效能唯一選項 隨著DDR5普及價位當然跟當初上市那動不動就
上1萬5~2萬多台幣的情況下來講 目前DDR5記憶體價位已經可以說是非常便宜 甚至比一些高端DDR4三星雙面BDIE還便宜.這對消費著來講真是利多~
以目前看AMD官方釋出的資訊該7000系列處理器適合的DDR5頻率為5200-6000MHZ 超頻範圍到6400 照這樣的使用頻率來講該好符合今天要為大家介紹的
這組凌航 N Foeorza TRINITY DDR5-5600 16G*2套組 我們就看圖說故事吧~
測試平台:12900KF / ROG Z690 APEX /DDR5 Neo Forza TRINITY DDR5-5600 16G*2/ 480開放式水冷/ WIN11專業版/AIDI64-V6.75/MEMTESTPRO 7.0/GB3
外觀包裝:
無RGB版本~適合喜歡無光害配置的使用
顆粒為Hynix MDIE 208A 該組5600XMP 版本用的顆粒毫不遜色 使用跟市售6400-6600XMP高階記憶體所使用的顆粒一模一樣 非常超值!
Neo Forza TRINITY DDR5-5600 16G*2 5600XMP CL-40-40-40-77 1.2V 系統CPU-Z SPD資訊
記憶體廠商資訊
接下來為該組DDR5-5600記憶體在各頻率下 壓低時序 燒機穩定性測試 測試條件:大小核頻率AUTO RING:AUTO 僅調整時序 記憶體電壓全程固定在1.435V
使用測試軟體為:MemtestPRO 7.0版本ADMIN模式
DDR5-5600MHZ 時序為CL 28-38-38-76-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 對比他家5600-6000CL28產品 該組價位約他家1/3左右
DDR5-6000MHZ 時序為CL 30-40-40-77-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 這個頻率CL30非常適合即將上市的AMD/INTEL處理器
DDR5-6200MHZ 時序為CL 30-40-40-77-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 時序電壓不變 頻率拉到6200MHZ 穩定過測
DDR5-6400MHZ 時序為CL 32-40-40-77-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 CL放至32 電壓不變 頻率拉到6400 穩定過測
DDR5-6600MHZ 時序為CL 32-39-39-76-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過500%測試 與目前市售6600XMP高階記憶體一模一樣參數穩定過測
DDR5-6800MHZ 時序為CL 32-42-42-84-2T 記憶體電壓:VDD 1.435V / VDDQ 1.435V 通過200%測試 這次測試以不加壓為原則 固定在1.435V
以上頻率 跟 時序 在2DIMM/大部分4DIMM板上都能做出 當然CPU的IMC 體質跟板子BIOS優化都會影響到實際能開出頻率-僅供參考
接來來就是各頻率跟參數可以說是縮得非常緊的狀況下在AIDI64頻寬延遲的表現: 記憶體電壓都固定為1.435V
DDR5-5600MHZ CL28-38-38-28 讀: 93262 MB/S 寫: 88550 MB/S 複製: 88612 MB/S 延遲: 55.4 ns
DDR5-6000MHZ CL28-39-39-28 讀: 99983 MB/S 寫: 94904 MB/S 複製: 94544 MB/S 延遲: 53.1 ns
DDR5-6200MHZ CL28-39-39-28 讀: 100.75 GB/S 寫: 98091 MB/S 複製: 97688 MB/S 延遲: 51.3 ns
DDR5-6400MHZ CL28-39-39-28 讀: 102.90 GB/S 寫: 101196 MB/S 複製: 100693 MB/S 延遲: 50.8 ns
DDR5-6600MHZ CL28-39-39-28 讀: 106.94 GB/S 寫: 101.93 GB/S 複製: 101.38 GB/S 延遲: 49.8 ns
DDR5-6800MHZ CL30-42-42-30 讀: 109.30 GB/S 寫: 104.33 GB/S 複製: 103.30 GB/S 延遲: 49.4 ns
DDR5-7000MHZ CL32-42-42-32 讀: 112.31 GB/S 寫: 107.53 GB/S 複製: 106.19 GB/S 延遲: 49.2 ns
以上是這組記憶體在DDR5頻率5600-7000MHZ 緊參數下在AIDI64測試下表現 可以看出每200MHZ增加在讀寫複製輸出大約都是以2萬~4萬MB/S下增加
在6200頻率之後 讀寫複製都來到10萬以上MB/S 單就性能而言 該組記憶體在固定電壓下 超頻幅度從5600MHZ-7000MHZ 對一般大眾玩家使用者來來已經非常夠用~極有可能在記憶體體質上限未到之前 4DIMM主機板上限已經先到!
接下來是GB3跑分測試:
DDR5-5600MHZ CL28-38-38-28 記憶體測試得分為: 11899分
DDR5-6000MHZ CL28-39-39-28 記憶體測試得分為: 12530分
DDR5-6200MHZ CL30-39-39-28 記憶體測試得分為: 12929分
DDR5-6400MHZ CL30-39-39-28 記憶體測試得分為: 13241分
這組記憶體在GB3測試下能到6400頻率 頻率要再上得再加壓 ~此次測試以固定電壓情況下 以符合大部分主機板正常使用環境~也考慮到消費者端日常使用環境
隨著兩大CPU廠即將上市的新世代CPU 都能使用DDR5記憶體下 這組凌航 Neo Forza TRINITY DDR5-5600 32G(16G*2)套組 以經濟實惠的價格 效能出眾的品
質. 讓消費者在組裝新電腦同時不用再為了必須強迫使用DDR5記憶體又局限於DDR5高單價下而煩惱~ 這次的測試就到這裡啦~有機會再幫大家測試測試高CP值
DDR5記憶體~
