顯示卡 Micron GDDR6 可上20Gbps, 頻寬堪比 HBM 2

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下一代顯卡記憶體標準已經確定是 GDDR6,其速率相比 GDDR5 將翻倍,可達16Gbps,此前各種爆料稱 NVIDIA 的 GTX 1180 顯卡將會率先使用 GDDR6。從現有情況來看,GDDR6 顯卡記憶體最快會在今年下半年開始用於顯卡,初期的速率不過12-14Gbps,16Gbps還需要一定時間,而美光已經在探索更一步把速率提升到20Gbps,這樣一來 GDDR6 顯卡記憶體的頻寬將達到4路 HBM 2 的水準,同時成本更低。

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對顯卡記憶體來說,更高的速率就意味著更高的頻寬,HBM 在這方面已經遠遠超過了GDDR5,HBM 2 的等效速率2Gbps,頻寬256GB/s,AMD、NVIDIA 的顯卡通常會搭配2-4顆HBM 2,理論頻寬512GB/s到1024GB/s之間,只不過現在的頻率還沒有達到上限,Quadro GV100 的帶寬是870GB/s,AMD 的 RX Vega 64 是484GB/s ,只堆疊了2組 HBM 2。

相比TSV製程導致成本昂貴的 HBM 2 記憶體,GDDR6 才是下一代顯卡的主流顯卡記憶體配置,目前的速率在10-12Gbps,14Gbps及以上的還在開發中。Micron 目前正在研發16Gbps的 GDDR6 顯卡記憶體,在5月份的 DesignCon 2018 大會上,他們的一篇有關16Gbps速率的 GDDR6 論文獲得了最佳論文大獎,詳情可以參考 https://www.micron.com/about/blogs/...entation-wins-designcon-2018-best-paper-award

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在這篇論文裡,Micron 探討了 GDDR6 實現16.5Gbps的技術,更重要的是他們還提到了20Gbps的可能性,透過繞過儲存陣列而只改變I/O部分的運行模式就可以提升 GDDR6 頻率,上圖中美光就只是微幅提升了I/O部分的電壓,就達到了20Gbps的速率。

目前市場上主流顯卡記憶體為256bit,GDDR5 在8Gbps頻率下能帶來256GB/s頻寬,12Gbps的GDDR6可達384GB/s,16Gbps頻率下512GB/s,這時候頻寬可以達到2路 HBM 2 的水準,而20Gbps下頻寬則超過640GB/s,大幅超越2路 HBM 2 的頻寬,接近4路 HBM 2 記憶體的水準,畢竟 NVIDIA 在 Tesla V100 顯卡上的頻寬也超不過如此。

如果是高端顯卡的384bit,搭配20Gbps頻率的GDDR6,那麼頻寬可以增長到960GB/s,真的就可以跟 HBM 2 一較高下了。

當然,20Gbps現在還沒這麼容易實現,今年 GDDR6 顯卡記憶體的起始頻率估計在10-12Gbps,未來會逐步提升。







來源:http://www.expreview.com/61783.html
 
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