2018年的智慧型手機儲存容量越來越大，快閃記憶體容量基本上是64GB起跳，128GB已經是主流，而記憶體普遍是6GB起，高階的則是8GB甚至10GB。記憶體容量要再上一個台階，除了期待降價之外，還有賴於於大容量 LPDDR4 記憶體的量產。Micron 今天宣布大規模量產12Gb核心容量的 LPDDR4X ，使用了1Y nm（10nm級別的）生產，頻率可達4266Mbps，同時功耗降低了10%，明年的智慧型手機可以達到12GB。
Micron 表示其12Gb LPPDR4X 顆粒是目前業界容量最高的，速度也是最快的。速度快倒是真的，不過美光的12Gb LPDDR4X 並不是容量最大的了，Samsung 早在4月份就宣布了16Gb核心容量的 LPDDR4X，頻率同樣是4266Mbps。
12Gb顆粒意味著單核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB記憶體容量，8核心則是12GB，明年差不多就會有12GB的高階智慧型手機。
除了頻率高達4266Mbps之外，美光表示其 LPDDR4X 還有能耗上的優勢，功耗降低了10%。
美光的12Gb LPDDR4X 記憶體使用了1Y nm製程，官方表示是10nm級別的，這種說法經常會誤導一些媒體同行，以為是10nm的，它其實是1X nm之後第二代10nm級製程，1X nm大概是16-19nm，1Y應該是14-16nm，之所以這麼模糊是因為20nm節點之後 DRAM 製程也面臨各種困難，線寬指標沒有明確的數值了，所以用XYZ代替，在這之後還有1α及1β。
來源：http://www.expreview.com/65101.html
Micron 表示其12Gb LPPDR4X 顆粒是目前業界容量最高的，速度也是最快的。速度快倒是真的，不過美光的12Gb LPDDR4X 並不是容量最大的了，Samsung 早在4月份就宣布了16Gb核心容量的 LPDDR4X，頻率同樣是4266Mbps。
12Gb顆粒意味著單核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB記憶體容量，8核心則是12GB，明年差不多就會有12GB的高階智慧型手機。
除了頻率高達4266Mbps之外，美光表示其 LPDDR4X 還有能耗上的優勢，功耗降低了10%。
美光的12Gb LPDDR4X 記憶體使用了1Y nm製程，官方表示是10nm級別的，這種說法經常會誤導一些媒體同行，以為是10nm的，它其實是1X nm之後第二代10nm級製程，1X nm大概是16-19nm，1Y應該是14-16nm，之所以這麼模糊是因為20nm節點之後 DRAM 製程也面臨各種困難，線寬指標沒有明確的數值了，所以用XYZ代替，在這之後還有1α及1β。
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