現有的 CMOS 半導體製程正在逼近物理極限，提高性能、降低功耗都不容易。未來十年的計算時代中，CMOS 製程很有可能就被新技術取代了，Intel 日前聯合加州大學伯克利分校的研究人員開發了一種新的 MESO（磁電自旋軌道）邏輯器件，這種常溫量子材質製造的設備可以將晶片工作電壓從3V減少到500mv，減少5倍，能耗降低10-30倍，而且運行速度也是 CMOS 製程的5倍。
這項技術是 Intel 、加州大學伯克利分校合作的，論文已經發表在了12月3日的《自然》雜誌上，它所用的 MESO 是一種鉍、鐵和氧（BiFeO 3）組成的多鐵材料，這種材料既有鐵磁性又有鐵電性，而且兩種狀態又有耦合性，改變一種就會影響另一種，操作電場就能改變磁場，這對研發 MESO 設備很有用。
這種材料最早是伯克利分校材料科學與工程和物理學教授Ramamoorthy Ramesh於2001年發現的，他也是這篇論文的高級作者，而 MESO 設備則是 Intel MESO 項目硬體小組主管Sasikanth Manipatruni發明的，現在這個突破也是他們合作研究出來的。
根據伯克利發布的新聞，MESO 邏輯器件的開關電壓可以從3V降低到500mv，並預測可以降低到100mv，是目前 CMOS 晶體管所需開關電壓的1/5到1/10，從1到0的切換能量僅為 CMOS 製程的1/10到1/30。除了能耗上的優勢，MESO 邏輯器件的運算速度也比 CMOS 製程高出5倍。
簡單來說就是 Intel 及伯克利大學合作的 MESO 邏輯器件為替代目前以晶體管為基礎的 CMOS 製程鋪平了道路，新的 MESO 邏輯器件在性能及能耗上有極其明顯的優勢。當然了，這種新技術還在研發中，Intel 提到他們的目標是在未來十年中超越 CMOS 時代。
來源：http://www.expreview.com/65639.html
這項技術是 Intel 、加州大學伯克利分校合作的，論文已經發表在了12月3日的《自然》雜誌上，它所用的 MESO 是一種鉍、鐵和氧（BiFeO 3）組成的多鐵材料，這種材料既有鐵磁性又有鐵電性，而且兩種狀態又有耦合性，改變一種就會影響另一種，操作電場就能改變磁場，這對研發 MESO 設備很有用。
這種材料最早是伯克利分校材料科學與工程和物理學教授Ramamoorthy Ramesh於2001年發現的，他也是這篇論文的高級作者，而 MESO 設備則是 Intel MESO 項目硬體小組主管Sasikanth Manipatruni發明的，現在這個突破也是他們合作研究出來的。
根據伯克利發布的新聞，MESO 邏輯器件的開關電壓可以從3V降低到500mv，並預測可以降低到100mv，是目前 CMOS 晶體管所需開關電壓的1/5到1/10，從1到0的切換能量僅為 CMOS 製程的1/10到1/30。除了能耗上的優勢，MESO 邏輯器件的運算速度也比 CMOS 製程高出5倍。
簡單來說就是 Intel 及伯克利大學合作的 MESO 邏輯器件為替代目前以晶體管為基礎的 CMOS 製程鋪平了道路，新的 MESO 邏輯器件在性能及能耗上有極其明顯的優勢。當然了，這種新技術還在研發中，Intel 提到他們的目標是在未來十年中超越 CMOS 時代。
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