超微IBM製程大突破！電晶體效能增24％
英特爾不甘示弱 調高明年DT雙核心CPU比重
超微（AMD）與IBM共同宣佈，已突破應變型矽晶（strained silicon）漏電問題，可在相同耗電量上一舉提升電晶體效能24%，顯示其下一代雙核心及多核心架構處理器技術優勢；英特爾（Intel）亦不甘示弱，決定將2006年雙核心處理器在桌上型電腦（DT）市場出貨比重，由原先目標40%調高到70%，展示其雙核心處理器志在必得的決心。
據華爾街日報（WSJ）報導，IBM與超微宣佈，2廠所合作研發製程有重大突破，全球半導體業界首創結合應變型矽晶與絕緣層上覆矽（silicon-on-insulator；SOI）製程技術，可望提高電晶體效能達24％，超微與IBM這項重大突破，在技術進程上明顯較英特爾快了一步。
SOI技術係由IBM所研發成央A其在矽晶片添增氧化物絕緣層，以降低電源消耗，減少電流流失，並加快IC處理速度；超微的90奈米SOI製程技術，便是與IBM共同合作開發，目前採用90奈米SOI應變型矽晶製程的Opteron及Athlon64處理器，已開始小量供貨。
由於半導體製程邁入90奈米以下深次微米世代，電晶體愈做愈小，廠商也面臨漏電、效能等棘手問題，因而紛尋求SOI及應變型矽晶等新興材料，作為解決之道。超微與IBM近期也開始研究整合SOI及應變型矽晶材料的新技術，並已取得突破進展，透過新的製造技術，不但可縮小所產出電晶體面積，並可提升性能及減少耗電。
超微與IBM公佈此一製程突破，無非是要展示下一代雙核心及多核心架構處理器的技術優勢。超微表示，此一新技術可在相同耗電量下，提升電晶體效能達24%，最快2005年上半就會應用在90奈米製程的Athlon64處理器中，2005年中旬推出的雙核心Opteron處理器也會採用此技術，並逐漸整合至全線90奈米製程產品；至於IBM方面，也會在Power系列處理器導入此一新技術。
英特爾方面也不甘示弱，日前紛取消包括LCOS晶片等產品開發計畫，全力衝刺雙核心處理器開發，近期更在第四季中財報所更新Analyst Day活動簡報中，展示65奈米製程Cedermill晶圓，並宣示雙核心處理器在DT、伺服器及NB市場比重，在2006年將分別達到70％、85％及70％以上。
值得注意的是，相較於英特爾總裁Paul Otellini在9月秋季開發者論壇所公佈雙核心處理器分別在DT、伺服器及NB市場比重40％、85％及70％的目標數字，雙核心DT CPU不但上市時程提前1年，出貨目標也大幅提升，充份展現英特爾對於雙核心處理器勢在必得的決心。
英特爾推出新NB處理器
【記者曹正芬╱台北報導】
正當超微宣布首批90奈米製程的64位元處理器年底前出貨，英特爾新一代65奈米製程雙核心筆記本型電腦處理器最近首度亮相，這是英特爾下下代產品布局，英特爾藉此宣示自己才是半導體製程技術領先者，不讓超微氣勢太盛。
英特爾日前對外展出首款65奈米製程的筆記本型電腦雙核心處理器Yonah，預期2006年才會出貨。英特爾美國總部主管表示，英特爾新一代65奈米製程明年準備就續，2006年將可量產，未來筆記本型電腦處理器將走向雙核心設計。
英特爾明年第一季將推出Sonoma筆記本型電腦平台，強調筆記本型電腦影音弁遄A把PCI Express規格帶進筆記本型電腦。但長期來看，英特爾打算推出雙核心的筆記本型電腦處理器，讓未來的晶片兼具省電和效能，未來桌上型電腦和筆記本型電腦都要進入雙核心時代。
超微日前公布，90奈米的Opteron處理器年底前出貨，顯示超微在製程技術上進入新的里程碑，今年底開始消費者就可買到90奈米製程的Opteron處理器。
both都加油 :fi: :fi:
但現在都不是進場的timeing :co:
英特爾不甘示弱 調高明年DT雙核心CPU比重
超微（AMD）與IBM共同宣佈，已突破應變型矽晶（strained silicon）漏電問題，可在相同耗電量上一舉提升電晶體效能24%，顯示其下一代雙核心及多核心架構處理器技術優勢；英特爾（Intel）亦不甘示弱，決定將2006年雙核心處理器在桌上型電腦（DT）市場出貨比重，由原先目標40%調高到70%，展示其雙核心處理器志在必得的決心。
據華爾街日報（WSJ）報導，IBM與超微宣佈，2廠所合作研發製程有重大突破，全球半導體業界首創結合應變型矽晶與絕緣層上覆矽（silicon-on-insulator；SOI）製程技術，可望提高電晶體效能達24％，超微與IBM這項重大突破，在技術進程上明顯較英特爾快了一步。
SOI技術係由IBM所研發成央A其在矽晶片添增氧化物絕緣層，以降低電源消耗，減少電流流失，並加快IC處理速度；超微的90奈米SOI製程技術，便是與IBM共同合作開發，目前採用90奈米SOI應變型矽晶製程的Opteron及Athlon64處理器，已開始小量供貨。
由於半導體製程邁入90奈米以下深次微米世代，電晶體愈做愈小，廠商也面臨漏電、效能等棘手問題，因而紛尋求SOI及應變型矽晶等新興材料，作為解決之道。超微與IBM近期也開始研究整合SOI及應變型矽晶材料的新技術，並已取得突破進展，透過新的製造技術，不但可縮小所產出電晶體面積，並可提升性能及減少耗電。
超微與IBM公佈此一製程突破，無非是要展示下一代雙核心及多核心架構處理器的技術優勢。超微表示，此一新技術可在相同耗電量下，提升電晶體效能達24%，最快2005年上半就會應用在90奈米製程的Athlon64處理器中，2005年中旬推出的雙核心Opteron處理器也會採用此技術，並逐漸整合至全線90奈米製程產品；至於IBM方面，也會在Power系列處理器導入此一新技術。
英特爾方面也不甘示弱，日前紛取消包括LCOS晶片等產品開發計畫，全力衝刺雙核心處理器開發，近期更在第四季中財報所更新Analyst Day活動簡報中，展示65奈米製程Cedermill晶圓，並宣示雙核心處理器在DT、伺服器及NB市場比重，在2006年將分別達到70％、85％及70％以上。
值得注意的是，相較於英特爾總裁Paul Otellini在9月秋季開發者論壇所公佈雙核心處理器分別在DT、伺服器及NB市場比重40％、85％及70％的目標數字，雙核心DT CPU不但上市時程提前1年，出貨目標也大幅提升，充份展現英特爾對於雙核心處理器勢在必得的決心。
英特爾推出新NB處理器
【記者曹正芬╱台北報導】
正當超微宣布首批90奈米製程的64位元處理器年底前出貨，英特爾新一代65奈米製程雙核心筆記本型電腦處理器最近首度亮相，這是英特爾下下代產品布局，英特爾藉此宣示自己才是半導體製程技術領先者，不讓超微氣勢太盛。
英特爾日前對外展出首款65奈米製程的筆記本型電腦雙核心處理器Yonah，預期2006年才會出貨。英特爾美國總部主管表示，英特爾新一代65奈米製程明年準備就續，2006年將可量產，未來筆記本型電腦處理器將走向雙核心設計。
英特爾明年第一季將推出Sonoma筆記本型電腦平台，強調筆記本型電腦影音弁遄A把PCI Express規格帶進筆記本型電腦。但長期來看，英特爾打算推出雙核心的筆記本型電腦處理器，讓未來的晶片兼具省電和效能，未來桌上型電腦和筆記本型電腦都要進入雙核心時代。
超微日前公布，90奈米的Opteron處理器年底前出貨，顯示超微在製程技術上進入新的里程碑，今年底開始消費者就可買到90奈米製程的Opteron處理器。
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