據 DRAMeXchange 報導，DRAM 市場供給過剩導致價格不斷下跌，DRAM 廠雖然盡量減產但仍然無法讓價格明顯止跌，維持獲利的唯一方法就是微縮製程來降低單位生產成本。不過，DRAM 製程向 1z nm 或 1α nm 製程推進的難度愈來愈高，隨著 EUV 量產技術獲得突破，或可有效降低 DRAM 成本。
據悉，三星預期在今年11月開始量產採用 EUV 技術的 1z nm DRAM，量產初期將與三星晶圓代工共享 EUV 設備，初期使用量雖不大，但卻等於宣示 DRAM 光罩微影技術會朝 EUV 方向發展。至於 SK Hynix 及 Micron 也已表明開始評估採用 EUV 技術，業界預期將可能在 1α nm 或 1β nm 世代開始導入。
三星的 1z nm 屬於第三代 10nm 級製程，10nm 級製程並不是 10nm，由於 20nm 節點之後 DRAM 的製程升級變得困難，所以 DRAM 記憶體製程的線寬指標不再那麼精確，於是有了 1x nm、 1y nm及 1z nm 之分，簡單來說 1x nm 製程相當於 16-19nm，1y nm 相當於 14-16nm，1z nm 大概是 12-14nm 級別，而在這之後還有 1α 及 1β 製程。
由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，三星晶圓代工也採 用EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期2021年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加2～3倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。
來源：
https://www.dramx.com/News/made-sealing/20190618-16834.html
https://www.expreview.com/68993.html
據悉，三星預期在今年11月開始量產採用 EUV 技術的 1z nm DRAM，量產初期將與三星晶圓代工共享 EUV 設備，初期使用量雖不大，但卻等於宣示 DRAM 光罩微影技術會朝 EUV 方向發展。至於 SK Hynix 及 Micron 也已表明開始評估採用 EUV 技術，業界預期將可能在 1α nm 或 1β nm 世代開始導入。
三星的 1z nm 屬於第三代 10nm 級製程，10nm 級製程並不是 10nm，由於 20nm 節點之後 DRAM 的製程升級變得困難，所以 DRAM 記憶體製程的線寬指標不再那麼精確，於是有了 1x nm、 1y nm及 1z nm 之分，簡單來說 1x nm 製程相當於 16-19nm，1y nm 相當於 14-16nm，1z nm 大概是 12-14nm 級別，而在這之後還有 1α 及 1β 製程。
由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，三星晶圓代工也採 用EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期2021年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加2～3倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。
來源：
https://www.dramx.com/News/made-sealing/20190618-16834.html
https://www.expreview.com/68993.html
