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日本網站PCWatch專欄作家後藤弘茂近日撰文，對下一代內存規格DDR4做了一番前瞻性介紹。 新內存將給桌面、筆記本、服務器、工作站再次帶來大幅度的性能提升，但也會顯著改變內存子系統的拓撲結構。
在日本東京舉行的MemCon 2010大會上，US Modular公司工程副總裁、JEDEC董事會成員Bill Gervasi介紹說，DDR4內存的有效運行頻率初步設定在2133-4266MHz之間，運行電壓則會進一步降低至1.2V 、1.1V，甚至還可能會有1.05V的超低壓節能版，生產工藝預計首批採用36nm或者32nm。
目前的DDR3內存最高標準頻率為2133MHz，電壓則有標準版1.5V、節能版1.35V兩種。 DDR4將繼續沿著高頻率、低電壓之路前進。
JEDEC預計在2011年完成DDR4內存規範的製定工作，2012年開始商用，超過DDR3而成為主流規格則可能要等到2015年。
DDR、DDR2、DDR3一路走來，頻率更高、電壓更低的同時延遲也在不斷變大，慢慢改變著內存子系統，DDR4帶來的變化甚至可能更大。 後藤弘茂分析稱，DDR4時代每個內存通道只會支持一條內存模組，因為開發人員準備使用點對點技術取代目前的多點總線。這樣一來，系統可用內存條數量、容量都將受到很大限制，為此開發人員正在思考兩種解決方法：
第一，讓DRAM廠商借助矽穿孔(TSV)技術和多層製造工藝大幅提高單個內存顆粒的容量，這就對DRAM生產技術提出了幾乎苛刻的要求，而且用戶升級也會比較麻煩，為了提高多通道性能必須同時替換所有內存條。
第二，在服務器領域內，如果多層DRAM IC方式不適合，就在主板上安裝特殊開關，允許多個內存條工作在同一內存通道內，這顯然會增加主板的難度和成本，還可能會影響性能，帶來潛在的兼容性問題。
內存頻率規格路線圖
內存電壓規格路線圖
不同時代內存頻率、電壓、功耗關係圖
DDR4會嘗試使用矽穿孔(TSV)技術來提升容量密度
DDR4內存規格預測
網站: 驅動之家
網站: http://news.mydrivers.com/1/172/172328.htm
PS: 記憶體(內存)
在日本東京舉行的MemCon 2010大會上，US Modular公司工程副總裁、JEDEC董事會成員Bill Gervasi介紹說，DDR4內存的有效運行頻率初步設定在2133-4266MHz之間，運行電壓則會進一步降低至1.2V 、1.1V，甚至還可能會有1.05V的超低壓節能版，生產工藝預計首批採用36nm或者32nm。
目前的DDR3內存最高標準頻率為2133MHz，電壓則有標準版1.5V、節能版1.35V兩種。 DDR4將繼續沿著高頻率、低電壓之路前進。
JEDEC預計在2011年完成DDR4內存規範的製定工作，2012年開始商用，超過DDR3而成為主流規格則可能要等到2015年。
DDR、DDR2、DDR3一路走來，頻率更高、電壓更低的同時延遲也在不斷變大，慢慢改變著內存子系統，DDR4帶來的變化甚至可能更大。 後藤弘茂分析稱，DDR4時代每個內存通道只會支持一條內存模組，因為開發人員準備使用點對點技術取代目前的多點總線。這樣一來，系統可用內存條數量、容量都將受到很大限制，為此開發人員正在思考兩種解決方法：
第一，讓DRAM廠商借助矽穿孔(TSV)技術和多層製造工藝大幅提高單個內存顆粒的容量，這就對DRAM生產技術提出了幾乎苛刻的要求，而且用戶升級也會比較麻煩，為了提高多通道性能必須同時替換所有內存條。
第二，在服務器領域內，如果多層DRAM IC方式不適合，就在主板上安裝特殊開關，允許多個內存條工作在同一內存通道內，這顯然會增加主板的難度和成本，還可能會影響性能，帶來潛在的兼容性問題。
內存頻率規格路線圖
內存電壓規格路線圖
不同時代內存頻率、電壓、功耗關係圖
DDR4會嘗試使用矽穿孔(TSV)技術來提升容量密度
DDR4內存規格預測
網站: 驅動之家
網站: http://news.mydrivers.com/1/172/172328.htm
PS: 記憶體(內存)
