嗯嗯..根據電子學的原理
消耗的必v當然不一樣囉
如果以前念的沒記錯
晶片消耗的必v分成兩種
一種是靜態必v, 也就是電晶體沒在做switch動作的時候所消耗的
像是現在製程越來越先進
造成Gate上的oxide厚度越來越薄
而使越來越多的電子可以利用Tunneling effect漏過去
以前靜態必v是可以忽略不計的
但是現在可能有蠻大一部份的弁茯O在靜態必v上
另一種是動態必v, 就是電晶體在switch的時候所消耗的
簡單的公氏應該是
動態必v = 晶片總電容 x 工作頻率 x (電壓)^2
因為你是超頻使用
晶片總電容當然不變
會影響動態必v的就是頻率跟電壓了
所以如果我們可以忽略靜態必v不計
只要用上面簡單的公式就可以算出必v了