BIOS介紹篇
這裡就是DFI比別人強另一優點
豐富的BIOS選項
開機畫面做點小變更
圖片縮小 畫質變佳 加上幾個mark 感覺比較好(進步八)
主要設定選單上
主要設定選單下
下方有簡單的目前此外電壓狀態
DRAM電壓 重頭戲
這次改版 已經不需跳JUMP才可使用3.3~4V
直接2.4~4.03V無段式調整
另外也不會有使用3.3V以上,主機板某IC溫度破百的問題
加上更細的電壓分階,相當優秀!(進步九)
最低電壓之前由2.5V改為2.4V
CPU電壓依舊為兩段式
第一段0.800V~1.550V
第二段為加%,最高加總為136%
最高電壓為1.55X1.36=2.108V
外頻也由先前的450Mhz提升到最高500Mhz
之前的DFI nF4幾乎每張都有上探400~450Mhz的實力
可以直接1Mhz加減,也增加直接填入想要外頻功能,方便許多(進步九)
LDT由1.0~5.0X
也有1.5與2.5X以利超頻
新增選項,建議超越280Mhz時開啟它
以增加超頻能力
內建Sili3114有RAID0,1,0+1,5完整功能
可惜此晶片非SATAII版本
但使用主機板上ATI晶片內建的SATA也可使用SATAII技術
DRAM選單部份上
照慣例一樣非常豐富,極限超越就需要這眾多選項配合
如先前nF4 512MBX2 DDR600 1T僅有DFI辦到,BIOS選項居功不少
對於非極限超頻(200~280Mhz外頻左右)的使用者來說,只要調幾個一般主機板都有的選項即可
DRAM選單部份下
高外頻同步關鍵選項
DRAM Drive Strength
從LEVEL1~8改為LEVEL1~15(進步十)
BIOS測轉速/溫度/電壓頁面
一樣可以控溫,晶片溫度約50度以下
四千多轉的轉速 聲音也極小 若怕噪音可再降轉速
熱身一下 GH上陣 DDR500 2 2-2-5 3.3V達成
在調效上有些許的不同 特性也與先前的nF4感覺不同
看來要駕輕就熟達到極限 我需要還花點時間來研究
先前對ATI K8晶片組 效能與超頻都不是很理想 甚至可說裝裝機還算OK
一樣的晶片 在DFI RD設計下 效能與超頻能力超乎我預料甚多
下篇應該是VGA方面
DRAM BIOS調效篇 應該要好一段時間摸透各種記憶體對它應該要怎麼調才會好發揮後 小弟才會貼教學
這篇看來改成DFI RDX200解析會比較好 呼呼