先前 AMD 已確認 Ryzen 7 9800X3D 即將推出。這是 AMD 在 Zen 5 架構上加入 3D V-Cache 技術的新一代高階遊戲處理器，擁有8核心16執行緒，L3 快取從普通型號的 32MB 增至 96MB，TDP 提升到120W，步進為 C0，基礎和加速時脈分別為 4.7GHz、5.2GHz。
AMD 的宣傳資料裡反覆出現 X3D Reimagined 字樣，似乎重新設計了 CCD 與 3D V-Cache 晶片的堆疊方式，這大概也是為什麼 AMD 將 Ryzen 7 9800X3D 採用的 3D V-Cache 技術稱為第二代技術的原因之一。
在之前的 X3D 產品裡，AMD 運用了基於台積電的 SoIC 技術，將兩個晶片被銑成一個平面，底層 CCX 與頂層 L3 之間是一個完美的對齊，TSV 通道可以在沒有任何類型的粘合材料的情況下進行匹配。為了實現這個操作，AMD 將 CCD 翻轉（由面向頂部改為面向底部），然後削去了頂部 95% 的矽，然後將 3D V-Cache 晶片安裝在上面，最終在 L3 上實現了共享環形總線設計，使得整個 L3 快取可用於每個核心。
到了 Ryzen 7 9800X3D，AMD 反轉了原來的設計，現在變成了 CCD 在頂部，3D V-Cache 在下面，為每個 CCD 帶來額外的 64MB 7nm SRAM 快取。這麼做可以讓運算模組的熱量可以直接散發到 IHS 上，一定程度上也解決了過往 X3D 產品所遇到的散熱影響頻率提升的問題，從而讓超頻也成為了可能。
來源
AMD 的宣傳資料裡反覆出現 X3D Reimagined 字樣，似乎重新設計了 CCD 與 3D V-Cache 晶片的堆疊方式，這大概也是為什麼 AMD 將 Ryzen 7 9800X3D 採用的 3D V-Cache 技術稱為第二代技術的原因之一。
在之前的 X3D 產品裡，AMD 運用了基於台積電的 SoIC 技術，將兩個晶片被銑成一個平面，底層 CCX 與頂層 L3 之間是一個完美的對齊，TSV 通道可以在沒有任何類型的粘合材料的情況下進行匹配。為了實現這個操作，AMD 將 CCD 翻轉（由面向頂部改為面向底部），然後削去了頂部 95% 的矽，然後將 3D V-Cache 晶片安裝在上面，最終在 L3 上實現了共享環形總線設計，使得整個 L3 快取可用於每個核心。
到了 Ryzen 7 9800X3D，AMD 反轉了原來的設計，現在變成了 CCD 在頂部，3D V-Cache 在下面，為每個 CCD 帶來額外的 64MB 7nm SRAM 快取。這麼做可以讓運算模組的熱量可以直接散發到 IHS 上，一定程度上也解決了過往 X3D 產品所遇到的散熱影響頻率提升的問題，從而讓超頻也成為了可能。
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