對於下一代儲存技術，人們不僅希望它速度更快，延遲更低，還希望它是是非易失性的，斷電之後數據不損失。在眾多後續標準中，MRAM（磁阻隨機存取儲存器）是最有希望勝出的，具備了上面提及的兩個優點。在日本的高新技術博覽會上，TDK公司首次展示了STT-MRAM技術製造出來的8Mb儲存器，雖然容量很小，不過讀寫性能已經是記憶體的7倍多了。
MRAM儲存技術 Intel、IBM、三星、SK Hynix、高通等公司都在投入研發，不過日本公司在這個領域實力也很強大，除了東芝外，TDK也是重要的參與者，這次他們在日本Ceatec博覽會上首次公開了MRAM晶圓，還有實際的性能演示。
TDK的MRAM技術基於STT（Spin-transfer torque 自旋鈕轉換），技術方案之前就有過了，不過TDK研究的是新方法，它以磁荷儲存數據，通過STT效應命名數據狀態，在寫入數據時可以藉此約束電子獲得磁場強度變化。
從PCWORLD的報導來看，在展會現場TDK還做了STT MRAM與記憶體的性能對比，左側的是他們研發的STT MRAM平台，右側的是NOR記憶體，MRAM的性能是NOR記憶體的7倍多。
目前MRAM技術依然在研發中，TDK通過旗下的Headway公司生產了8英寸的MRMA晶圓（第一張圖所示）做測試用，不過Headway公司不具備大規模量產的能力，所以TDK以後還需要一家合作夥伴來幫他們生產MRAM。
在MRAM領域，TDK的主要對手是美國的Everspin公司，2年前他們也推出了ST MRAM芯片，而且是16Mb容量的，讀寫性能也非常驚人。
不過目前的MRAM技術都是鏡中花水中月，理論優勢很好，但是技術根本不成熟，而且自身也有天生劣勢，距離實用還有很長一段距離的。
來源：
http://www.expreview.com/36432.html
http://www.pcworld.com/article/2769...a-competitor-for-flash-memory.html#tk.rss_all
MRAM儲存技術 Intel、IBM、三星、SK Hynix、高通等公司都在投入研發，不過日本公司在這個領域實力也很強大，除了東芝外，TDK也是重要的參與者，這次他們在日本Ceatec博覽會上首次公開了MRAM晶圓，還有實際的性能演示。
TDK的MRAM技術基於STT（Spin-transfer torque 自旋鈕轉換），技術方案之前就有過了，不過TDK研究的是新方法，它以磁荷儲存數據，通過STT效應命名數據狀態，在寫入數據時可以藉此約束電子獲得磁場強度變化。
從PCWORLD的報導來看，在展會現場TDK還做了STT MRAM與記憶體的性能對比，左側的是他們研發的STT MRAM平台，右側的是NOR記憶體，MRAM的性能是NOR記憶體的7倍多。
目前MRAM技術依然在研發中，TDK通過旗下的Headway公司生產了8英寸的MRMA晶圓（第一張圖所示）做測試用，不過Headway公司不具備大規模量產的能力，所以TDK以後還需要一家合作夥伴來幫他們生產MRAM。
在MRAM領域，TDK的主要對手是美國的Everspin公司，2年前他們也推出了ST MRAM芯片，而且是16Mb容量的，讀寫性能也非常驚人。
不過目前的MRAM技術都是鏡中花水中月，理論優勢很好，但是技術根本不成熟，而且自身也有天生劣勢，距離實用還有很長一段距離的。
來源：
http://www.expreview.com/36432.html
http://www.pcworld.com/article/2769...a-competitor-for-flash-memory.html#tk.rss_all
