日本富士通公司日前宣布與美國 Mantero 公司達成合作協議，
雙方將共同推進碳納米管記憶體（NRAM）研發、製造，
這種記憶體的速度號稱是普通快閃記憶體的1000倍，
預計2018年底正式推出產品，製程是55nm的。
在納米技術研究領域，碳納米管（也叫富勒烯，簡稱CNT）是一種很獨特的材料，
直徑只有人類頭髮的5萬分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的50倍。
在儲存領域，碳納米管通過矽基沉底也能實現0、1變化，
因此也可以儲存晶片，而且是非易失性的，斷電也不會清除數據。
相比普通記憶體，NRAM晶片的優勢太多了，讀寫速度是普通快閃記憶體的1000倍
（Nanteo官網上說是1000倍，圖表上是100倍），同時功耗更低，可靠性、耐用性更強，成本更低。
Nantero這次與富士通合作，後者將把 NRAM 記憶體整合到自家晶片中，
預計2018年底推出，製程為55nm。
不過話說回來，NRAM 還是新技術，Nantero 公司從2006年就說生產碳納米管記憶體了，
但是一直沒什麼進展。即便是跟富士通達成合作了，量產的 NRAM 晶片還是256Mb（32MB）大小的，
容量還是太小了，只適合一些嵌入式領域。
來源：http://www.expreview.com/49269.html
雙方將共同推進碳納米管記憶體（NRAM）研發、製造，
這種記憶體的速度號稱是普通快閃記憶體的1000倍，
預計2018年底正式推出產品，製程是55nm的。
在納米技術研究領域，碳納米管（也叫富勒烯，簡稱CNT）是一種很獨特的材料，
直徑只有人類頭髮的5萬分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的50倍。
在儲存領域，碳納米管通過矽基沉底也能實現0、1變化，
因此也可以儲存晶片，而且是非易失性的，斷電也不會清除數據。
相比普通記憶體，NRAM晶片的優勢太多了，讀寫速度是普通快閃記憶體的1000倍
（Nanteo官網上說是1000倍，圖表上是100倍），同時功耗更低，可靠性、耐用性更強，成本更低。
Nantero這次與富士通合作，後者將把 NRAM 記憶體整合到自家晶片中，
預計2018年底推出，製程為55nm。
不過話說回來，NRAM 還是新技術，Nantero 公司從2006年就說生產碳納米管記憶體了，
但是一直沒什麼進展。即便是跟富士通達成合作了，量產的 NRAM 晶片還是256Mb（32MB）大小的，
容量還是太小了，只適合一些嵌入式領域。
來源：http://www.expreview.com/49269.html
