繼三個月前三星發佈世界首款DDR4記憶體後,海力士(Hynix)亦在日前正式宣佈其DDR4記憶體顆粒及相關產品研製成功。
根據海力士方面表示,目前他們已經完成了容量為2Gb(256MB)的DDR4 DRAM記憶體顆粒以及容量為2GB的DDR4 SO-DIMM記憶體條(支援ECC校驗)的開發。這些產品均採用了30nm級別的工藝,運行頻率達2400MHz,電壓僅為1.2V,在64-bit的接口下頻寬可達到19.2GB/s。
另外,海力士方面還稱,他們已經計畫在今年下半年正式投產該款DDR4 SO-DIMM記憶體,主要面向微型伺服器市場。
來源:http://www.expreview.com/14623.html
根據海力士方面表示,目前他們已經完成了容量為2Gb(256MB)的DDR4 DRAM記憶體顆粒以及容量為2GB的DDR4 SO-DIMM記憶體條(支援ECC校驗)的開發。這些產品均採用了30nm級別的工藝,運行頻率達2400MHz,電壓僅為1.2V,在64-bit的接口下頻寬可達到19.2GB/s。
另外,海力士方面還稱,他們已經計畫在今年下半年正式投產該款DDR4 SO-DIMM記憶體,主要面向微型伺服器市場。
來源:http://www.expreview.com/14623.html