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美國加州創業公司Crossbar, Inc.經過長期沉默後突然爆發，宣布了自主研發的全新大容量、高性能非易失性存儲技術“Crossbar Resistive RAM”(電阻式記憶體/RRAM)，號稱可在200平方毫米大小(基本上就相當於個拇指蓋)的芯片裡存儲最多1TB數據。
Crossbar同時宣布，已經在一家商業晶圓廠內開發出了可工作的Crossbar存儲陣列，完整集成了單片電路CMOS控制器，從而邁出了投入實用的里程碑一步，而不僅僅是停留在幻燈片上。
目前，Crossbar已經完成了該原型的定性、優化，首款產品將會面向嵌入式SoC市場，並向SoC廠商開放技術授權，不過RRAM的適用範圍極廣，包括消費電子、手機、平板機、企業存儲、固態硬盤、雲計算、工業聯網設備、損耗計算、安全支付等等，基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。
Crossbar RRAM本身就是簡單的三層式結構，所以能夠進行3D堆疊，進一步擴大容量，而且兼容主流的CMOS製造工藝。
RRAM 3D堆疊陣列
Crossbar宣稱，相比於當今最先進的NAND閃存，這種新型存儲技術能帶來20倍的寫入性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗，而內核面積可以小一半還要多 ——官方數據是同樣的25nm 8GB，NAND閃存需要167平方毫米，RRAM只需77平方毫米。
另外，NAND閃存在25nm工藝之後出現了嚴重的性能下滑、壽命縮短問題，RRAM則可以一路走到5nm甚至更遠。
RRAM、NAND內核面積比較
RRAM相比於NAND的諸多優勢
兼容CMOS工藝
Crossbar RRAM的每一個存儲單元都放置在橫豎交錯的互連層中間，形成頂部金屬電極、中間切換媒介、底部電極的結構，納米粒子可以在中間形成上下聯通的導電通路。
下圖就是一個簡單的四層堆疊陣列。最底部是CMOS控制器電路，因為就在存儲陣列下方可以節省內核空間，也不需要大型的高壓晶體管。中間部分是兩個鍍金屬層，用於在控制器電路、存儲陣列之間傳輸信號。
資料來源~
Crossbar同時宣布，已經在一家商業晶圓廠內開發出了可工作的Crossbar存儲陣列，完整集成了單片電路CMOS控制器，從而邁出了投入實用的里程碑一步，而不僅僅是停留在幻燈片上。
目前，Crossbar已經完成了該原型的定性、優化，首款產品將會面向嵌入式SoC市場，並向SoC廠商開放技術授權，不過RRAM的適用範圍極廣，包括消費電子、手機、平板機、企業存儲、固態硬盤、雲計算、工業聯網設備、損耗計算、安全支付等等，基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。
Crossbar RRAM本身就是簡單的三層式結構，所以能夠進行3D堆疊，進一步擴大容量，而且兼容主流的CMOS製造工藝。
RRAM 3D堆疊陣列
Crossbar宣稱，相比於當今最先進的NAND閃存，這種新型存儲技術能帶來20倍的寫入性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗，而內核面積可以小一半還要多 ——官方數據是同樣的25nm 8GB，NAND閃存需要167平方毫米，RRAM只需77平方毫米。
另外，NAND閃存在25nm工藝之後出現了嚴重的性能下滑、壽命縮短問題，RRAM則可以一路走到5nm甚至更遠。
RRAM、NAND內核面積比較
RRAM相比於NAND的諸多優勢
兼容CMOS工藝
Crossbar RRAM的每一個存儲單元都放置在橫豎交錯的互連層中間，形成頂部金屬電極、中間切換媒介、底部電極的結構，納米粒子可以在中間形成上下聯通的導電通路。
下圖就是一個簡單的四層堆疊陣列。最底部是CMOS控制器電路，因為就在存儲陣列下方可以節省內核空間，也不需要大型的高壓晶體管。中間部分是兩個鍍金屬層，用於在控制器電路、存儲陣列之間傳輸信號。
資料來源~
