小弟這2天一直在領悟新手教學區的記憶體各種參數應用~前2章小弟還以為我已了解文章內容,誰知到的狂大的第3章實戰篇應用......我才知道....我領悟不了...orz.....希望還有大大對我進一步的指導
-----------------------我對各種參用的了解-----------------------------
不一定是對的(如果有錯..也請各位大大的指教)
DDR基本電壓是2.5V(CAS參數 2.5-3) DDRII基本電壓:1.8(CAS參數 4-5)
加大電壓時是讓Ras到Cas反應速度變快....(tcl我先把他稱為波長好囉)
Trcd:從記憶體收到command時從啓動到讀的動作
TRP:預先充電..可以再做多資料處理時...以免中斷,可加快動作的速度
TRAS:Tcl->Trcd->Trp的執行動作開始到結束的時問...(整個的週期時間?)
借用狂大的教學圖-有做修改..(cl=4結束時間應該要再後退一格)呵..還改錯@@
------------------------------------------------------------------------------
在狂哥的實戰篇.解答是4-4-4-9...重點是9...是為什麼要這種設定....無法理解
太快會導致記憶體0->1的讀取來不及反應...所以也是慢慢加上去...來了解記憶體顆粒的最佳化?
有點亂@@如果全錯...也請各位大大多多指導..也謝謝各位大大的教導
-----------------------我對各種參用的了解-----------------------------
不一定是對的(如果有錯..也請各位大大的指教)
DDR基本電壓是2.5V(CAS參數 2.5-3) DDRII基本電壓:1.8(CAS參數 4-5)
加大電壓時是讓Ras到Cas反應速度變快....(tcl我先把他稱為波長好囉)
Trcd:從記憶體收到command時從啓動到讀的動作
TRP:預先充電..可以再做多資料處理時...以免中斷,可加快動作的速度
TRAS:Tcl->Trcd->Trp的執行動作開始到結束的時問...(整個的週期時間?)
借用狂大的教學圖-有做修改..(cl=4結束時間應該要再後退一格)呵..還改錯@@
------------------------------------------------------------------------------
在狂哥的實戰篇.解答是4-4-4-9...重點是9...是為什麼要這種設定....無法理解
太快會導致記憶體0->1的讀取來不及反應...所以也是慢慢加上去...來了解記憶體顆粒的最佳化?
有點亂@@如果全錯...也請各位大大多多指導..也謝謝各位大大的教導
