Originally posted by mingking+Aug 25 2005, 01:14 PM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (mingking @ Aug 25 2005, 01:14 PM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-Sander@Aug 25 2005, 11:36 AM
應該是0.09和0.13製程吧
單位是micron
也就是10^(-6)公尺
這個長度通常指的是一個電晶體最小的Gate寬度
製程微縮的好處有很多
1. 面積變小, 成本下降
2. 速度變快
一個簡單的想法, Gate寬度變小就表示電子要跑的距離變短
所以電子從Source跑到Drain(或相反)的速度就變快了
所以電晶體開關的速度也就變快了
不過隨著製程微縮到sub-micron以下
一些缺點也出來了
1. 漏電流
為了保持電晶體開關的弁?隨著Gate寬度的距離變短, Gate上的氧化層的厚度也勢必要變薄
(前提是氧化層的介電常數沒有變)
因為電子有Tunnel Effect
所以隨著氧化層的厚度變薄, 電子通過的機率會成指數成長
也就是漏電流會越來越嚴重
2. 預設電壓變低
其實這也不是什麼缺點
只是氧化層的厚度變薄, Threshold Voltage也會跟著變低
簡單來說, 電壓不要加太高, 會把電晶體打死的