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    儲存設備 Samsung 投產第九代 V-NAND, 儲存密度提升 50%

    Samsung 今天宣布正式開始量產第九代 V- NAND 快閃記憶體，首批開始量產的是容量為 1Tb 的 TLC ，新一代快閃記憶體的量產將進一步增強 Samsung 在該市場的競爭力，鞏固其領導地位。 Samsung 電子記憶體業務部快閃記憶體產品與技術負責人 SungHoi Hur 表示：“我們非常高興推出業界首款第九代 V-NAND 產品，它將為未來應用帶來顯著飛躍。為了滿足不斷演進的 NAND 快閃記憶體解決方案需求，我們在下一代產品的單元架構和操作方案上進行了突破。透過最新的 V-NAND，Samsung...
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