v-nand

Samsung 在2013年推出了第一款量產的 3D NAND 記憶體，稱為 V-NAND，並因此領先於競爭對手。Samsung 是從24層 V-NAND 開始，逐漸累積了豐富的經驗，目前最新量產的是第9代 V-NAND，層數達到了290層。 隨著人工智慧（AI）的蓬勃發展，市場除了 HBM 這類高頻寬記憶體，也需要更多層數的 NAND 快閃記憶體，這是大型資料中心大容量 SSD 的理想選擇，而 Samsung 的目標是2026年推出400層垂直堆疊的 NAND ，以便在激烈的市場競爭中佔據領先位置。 目前儲存產業似乎已進入「層層堆疊」的激烈競爭當中，Samsung...

Samsung 今天宣布正式開始量產第九代 V- NAND 快閃記憶體，首批開始量產的是容量為 1Tb 的 TLC ，新一代快閃記憶體的量產將進一步增強 Samsung 在該市場的競爭力，鞏固其領導地位。 Samsung 電子記憶體業務部快閃記憶體產品與技術負責人 SungHoi Hur 表示：“我們非常高興推出業界首款第九代 V-NAND 產品，它將為未來應用帶來顯著飛躍。為了滿足不斷演進的 NAND 快閃記憶體解決方案需求，我們在下一代產品的單元架構和操作方案上進行了突破。透過最新的 V-NAND，Samsung...