四大NAND廠中，Samsung在2014年制霸全球SSD市場，Intel、SanDisk、Micron、Toshiba也位列前五，唯獨SK Hynix位列第十，SSD營收比Seagate、WD還低。不僅是快閃記憶體，就連記憶體產業，SK Hynix也被Samsung遠遠甩在後面，現在SK Hynix準備奮發圖強，今年量產36層堆棧的3D NAND，還有16nm的TLC，DRAM記憶體的部份也加速推進後10nm製程。
Samsung這兩年獲得更高的NAND及DRAM份額主要是靠技術推動，他們去年就率先量產了V-NAND技術的3D快閃記憶體，Samsung之外的其他公司要到今年才開始生產。SK Hynix表示他們去年成功開發了24層堆棧的3D快閃記憶體，今年也準備大規模量產3D閃存了，首次量產的則是36層堆棧的3D閃存，今年底還會準備48層堆棧的3D閃存量產工作。
Samsung量產的V-NAND閃存是32層堆棧的，不過今年下半年也準備量產48層堆棧的，Intel/Micron系公佈的3D NAND閃存也是32層堆棧的，更多堆棧的也在研究之中了。Toshiba、SanDisk也在日本四日市新建Fab 2工廠，預計2016年才會大規模量產3D閃存。
除了3D閃存，SK Hynix也會繼續加強傳統的平面閃存，很快會推出16nm TLC閃存，並在Q2季度將TLC閃存產能提升到10%的比例，今年底達到40%的比例。此外，Q3季度他們還會推出16nm TLC閃存的SSD，並會把TLC SSD的比例提升到20-30%。
內存方面，Samsung的20nm已經大規模量產了，SK Hynix還需要不斷提升產品。位於韓國京畿道省利川市的M14 DRAM晶圓廠已進入最終階段，半導體設備已經備貨了，預計從年底開始運營。一旦開始正式生產，其產能將達到每月1.5萬片晶圓。
不過SK Hynix在技術上還有點落後，他們預計要到明年6月份才能提供後10nm的DRAM樣品，而Samsung已經準備量產後10nm DRAM內存了。
來源：http://www.expreview.com/40188.html
Samsung這兩年獲得更高的NAND及DRAM份額主要是靠技術推動，他們去年就率先量產了V-NAND技術的3D快閃記憶體，Samsung之外的其他公司要到今年才開始生產。SK Hynix表示他們去年成功開發了24層堆棧的3D快閃記憶體，今年也準備大規模量產3D閃存了，首次量產的則是36層堆棧的3D閃存，今年底還會準備48層堆棧的3D閃存量產工作。
Samsung量產的V-NAND閃存是32層堆棧的，不過今年下半年也準備量產48層堆棧的，Intel/Micron系公佈的3D NAND閃存也是32層堆棧的，更多堆棧的也在研究之中了。Toshiba、SanDisk也在日本四日市新建Fab 2工廠，預計2016年才會大規模量產3D閃存。
除了3D閃存，SK Hynix也會繼續加強傳統的平面閃存，很快會推出16nm TLC閃存，並在Q2季度將TLC閃存產能提升到10%的比例，今年底達到40%的比例。此外，Q3季度他們還會推出16nm TLC閃存的SSD，並會把TLC SSD的比例提升到20-30%。
內存方面，Samsung的20nm已經大規模量產了，SK Hynix還需要不斷提升產品。位於韓國京畿道省利川市的M14 DRAM晶圓廠已進入最終階段，半導體設備已經備貨了，預計從年底開始運營。一旦開始正式生產，其產能將達到每月1.5萬片晶圓。
不過SK Hynix在技術上還有點落後，他們預計要到明年6月份才能提供後10nm的DRAM樣品，而Samsung已經準備量產後10nm DRAM內存了。
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