不久前 Samsung 開始準備生產 GDDR6，現在 SK Hynix 宣布要正式出貨，不過對比 Samsung GDDR6 規格，SK Hynix 與 Micron 在速度與容量上並不及 Samsung。
SK Hynix 的 GDDR6 暫時分為了4個型號，編號為 H56C8H24MJR-S2C 的 GDDR6 有14.0Gbps和12.0Gbps兩個規格，編號 H56C8H24MJR-S0C 的速度更低，只有12.0Gbps和10.0Gbps兩種規格。SK Hynix 的 GDDR6 都用了 FCBGA 封裝，記憶體 Bank 數為16Bank。
另外編號第七碼“2”代表單顆記憶體頻寬為32bit，即 SK Hynix 的 GDDR6 是1GB/32bit規格，可是 Samsung 已經做到了16GB/256bit（2GB/32bit）。Samsung 的 GDDR6 記憶體電壓固定在1.35V，雖然 SK Hynix 的顯卡記憶體可以在不同電壓下實現不同的頻率，但1.35V的工作電壓最多也只能到14.0Gbps，比 Samsung的18Gbps慢不少，不過這樣的規格差異也較能有產品高低區隔。
業界認為 GDDR6 在今年會用於高階甚至到主流等級的顯卡上，而 NVIDIA Volta 可能會是首發。
來源：http://www.expreview.com/59012.html
SK Hynix 的 GDDR6 暫時分為了4個型號，編號為 H56C8H24MJR-S2C 的 GDDR6 有14.0Gbps和12.0Gbps兩個規格，編號 H56C8H24MJR-S0C 的速度更低，只有12.0Gbps和10.0Gbps兩種規格。SK Hynix 的 GDDR6 都用了 FCBGA 封裝，記憶體 Bank 數為16Bank。
另外編號第七碼“2”代表單顆記憶體頻寬為32bit，即 SK Hynix 的 GDDR6 是1GB/32bit規格，可是 Samsung 已經做到了16GB/256bit（2GB/32bit）。Samsung 的 GDDR6 記憶體電壓固定在1.35V，雖然 SK Hynix 的顯卡記憶體可以在不同電壓下實現不同的頻率，但1.35V的工作電壓最多也只能到14.0Gbps，比 Samsung的18Gbps慢不少，不過這樣的規格差異也較能有產品高低區隔。
業界認為 GDDR6 在今年會用於高階甚至到主流等級的顯卡上，而 NVIDIA Volta 可能會是首發。
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