處理器 Intel 10nm 製程揭密:2.7倍金屬管密度, 首次使用貴金屬釕

本帖由 soothepain2018-06-14 發佈。版面名稱:新品資訊

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By soothepain on 2018-06-14 ,11:37
  1. soothepain

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    Techinsights日前就以 Lenovo Ideapad 330 中的 Core i3-8121 處理器為例分析了 Intel 的10nm製程,詳細報告還沒有發布,目前只公布了部分數據與一些特點。

    [​IMG]

    Intel 10nm特點如下:
    • 邏輯晶體管密度達到了100.8MTr/mm2,每平方毫米1億個晶體管,晶體管密度是14nm工藝的2.7倍多
    • 使用的是第三代FinFET晶體管製程技術
    • 最小柵極距(gate pitch)從之前的70nm縮小到了54nm
    • 最小金屬間距(metal pitch)從之前的52nm縮小到了36nm

    Intel 10nm製程亮點:
    • 與現有10nm及即將問世的7nm相比,Intel 10nm具有最好的間距縮小指標
    • 在後端製程BEOL中首次聯合使用金屬銅及釕,後者是一種貴金屬
    • 在contact及BEOL端使用了自對齊圖形化方案(self-aligned patterning scheme)

    Intel 10nm設計亮點:
    • 通過6.2-Track高密度庫實現了超級縮放(Hyperscaling )
    • Cell等級的COAG(Contact on active gate)技術

    先前 Intel CEO 也解釋過他們的10nm為什麼難產的問題,一大原因就是他們的10nm製程指標定的太高了,10nm 100MTr/ mm2 的晶體管密度實際上跟台積電、三星的7nm製程差不多,性能指標是很好的,但遇到了良率的問題,所以量產時間上要比其他兩家落後兩年多。









    來源:
    http://www.techinsights.com/technol...iew/latest-reports/intel-10-nm-logic-process/
    http://www.expreview.com/62070.html
     

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