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儲存設備 3D NAND 到2021年將堆上140層

本帖由 soothepain2018-05-15 發佈。版面名稱:新品資訊

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By soothepain on 2018-05-15 ,11:21
  1. soothepain

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    最近在國際儲存研討會2018(IMW 2018)上,應用材料公司Sean Kang介紹了未來幾年 3D-NAND 的發展線路圖,到了2021年,3D-NAND 的堆疊層數會超過140層,而且每一層的厚度會不斷的變薄。

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    自 3D-NAND 誕生以來它的堆疊層數就在不斷的增長,Samsung 出的第一代 3D V-NAND 只有24層,下一代就變成了32層,隨後就變成48層,目前現在大多數廠商都是64層,而 SK Hynix 則是72層,而下一代的 3D-NAND 堆疊層數將超過90層,再下一個階段會超過120層,到了2021年會超過140層。

    而快閃記憶體的 Die Size 也隨著堆疊層數而增長,在32層時代的時候是128Gbit,48層時256Gbit,64/72層是512Gbit,明年的96層閃存應該會達到768Gbit,128層應該會有1024Gbit的Die Size,達到144層時就不清楚會有多大了,肯定會大於等於1024Gbit。

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    在堆疊層數增加的時候,儲存堆棧的高度增大,然而每層的厚度相對縮小,以前的32/36層 3D NAND 的堆棧厚度為2.5μm,層厚度大約70nm,48層的堆棧厚度為3.5μm,層厚度減少到62nm,現在的64/72層堆棧厚度大約4.5μm,每層厚度減少到60nm,升級一次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍,而層厚度會變成0.86倍。

    現在各家廠商都在 3D NAND 上加大力度研發,盡可能提升自己快閃記憶體的儲存密度,此前 Toshiba 與 WD 就宣布計劃在今年內大規模生產96層堆疊的 BiCS4 晶片,並會在年底前發貨。










    來源:
    https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1121549.html
    http://www.expreview.com/61301.html
     

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