TSMC聯席CEO、總裁Mark Liu(劉德音)日前表示 TSMC 將在本季度凍結10nm技術研發,
也就是說他們的10nm技術研發已經基本完成,不會再有大的修改了。
研發凍結之後會開始技術性生產,明年春季也就是2016年會向客戶推出10nm製程試產樣品。
根據 TSMC 所說,其10nm製程晶體管密度相比 16nm FinFET+ 提升了110%,
可以製造出250億晶體管的晶片,同樣的功耗下性能可以提升20%,同樣的性能下功耗則可以降低40 %。
相比 Intel 在10nm製程上的謹慎(2017年前都不會量產),
三星、TSMC 在10nm上要比 Intel 激進多了,
TSMC 以及三星今年早些時候就展示過10nm的晶圓,
兩家都爭搶著在2017年前甚至2016年底就量產10nm,
也就是說留給 14/16nm FinFET 製程的時間也就是一年,進度比 Intel 還要快。
來源:http://www.expreview.com/43779.html
也就是說他們的10nm技術研發已經基本完成,不會再有大的修改了。
研發凍結之後會開始技術性生產,明年春季也就是2016年會向客戶推出10nm製程試產樣品。
根據 TSMC 所說,其10nm製程晶體管密度相比 16nm FinFET+ 提升了110%,
可以製造出250億晶體管的晶片,同樣的功耗下性能可以提升20%,同樣的性能下功耗則可以降低40 %。
相比 Intel 在10nm製程上的謹慎(2017年前都不會量產),
三星、TSMC 在10nm上要比 Intel 激進多了,
TSMC 以及三星今年早些時候就展示過10nm的晶圓,
兩家都爭搶著在2017年前甚至2016年底就量產10nm,
也就是說留給 14/16nm FinFET 製程的時間也就是一年,進度比 Intel 還要快。
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